[发明专利]局部加热的多区域基板支撑件在审
申请号: | 201480040003.6 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN105408993A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 迈克尔·S·考克斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 局部 加热 区域 支撑 | ||
技术领域
本揭示案的实施方式大体涉及用于等离子体处理室中的基板支撑组件,更特定地,涉及具有分布式加热元件的静电夹具,以提供横跨基板的独立温度控制。
背景技术
在半导体及其他工业中,在基板处理期间静电夹具(ESC)被用来固持工件(例如基板)于支撑件上。典型的ESC可包含基部、设置于该基部上的电气绝缘层、及内嵌于该电气绝缘层中的一个或更多个电极。ESC可提供有内嵌式电加热器且ESC可流体地耦接至传热气体源以在处理期间控制基板温度。在使用期间,ESC被固定至处理室中的支撑件。通过电压源对ESC中的电极相对于设置于ESC上的基板电气地施加偏压。相反的静电电荷在ESC的电极中及基板的表面上累积,绝缘层阻止其间的电荷流动。在基板处理期间,由静电电荷的累积而产生的静电力将基板固持至ESC。
ESC已发展成具有多个同心加热区域以改进处理结果。加热区域提供用于边缘至中心温度控制能力的方式,以均衡化基板或膜的反应速率或其他性质,因为工件上实施的许多化学反应(例如基板蚀刻)高度依赖于温度。在等离子体室内精确地蚀刻基板可为挑战性的,因为室内的等离子体加上(pumping)其他室不对称性可使基板上的温度方位角地(azimuthally)不均匀。方位角温度梯度可不对称地存在于整个基板,使得基板的一个区域相较于该基板的另一区域处于不同的温度。当基板温度不均匀时,特征可能会不一致地蚀刻进设置于基板上的各层中。
然而对传统ESC而言,沿基板直径方向具有更多的温度控制同心区域是困难的或过于昂贵的。无法控制基板方位角的温度均匀性对在单一基板或基板间的处理均匀性皆造成不利的影响。
因此,本领域中需要提供多区域温度控制的改进的ESC组件。
发明内容
本揭示案的实施方式提供具有多个温度控制区域的静电夹具(ESC)。在一个实施方式中,ESC包含:绝缘基部;设置于该绝缘基部上的电极组件;独立可控的多个加热元件,这些加热元件耦接至该绝缘基部,这些加热元件被布置以提供方位角温度控制;及介电构件,该介电构件耦接至该基部且形成ESC的基板支撑表面。
在另一个实施方式中,ESC包含:绝缘基部;介电层,该介电层设置于该绝缘基部上,该介电层具有基板支撑表面;电极组件,该电极组件设置于该绝缘基部与该基板支撑表面之间;及多个加热元件,这些加热元件被配置以方位角地控制横跨基板表面的温度分布。
在又另一个实施方式中,静电夹具包含:绝缘基部,该绝缘基部具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面;电极组件,该电极组件形成在该绝缘基部的该第一表面上,该电极组件具有与第二电极交错的第一电极;多个加热元件,这些加热元件形成在该第一电极与该第二电极的交错部分之间;及封装构件,该封装构件耦接至该电极组件。
在另一个实施方式中,用于制造ESC的方法包含以下步骤:在绝缘基部上形成电极组件,其中该电极组件包含与第二电极交错的第一电极;在该绝缘基部上形成多个加热元件,这些加热元件被配置以方位角地控制横跨基板表面的温度分布;及在该电极组件上形成封装构件。
附图说明
为了能详细地理解本揭示案的上述特征,可通过参考实施方式而得到以上简要概述的本揭示案的更特定的描述,一些实施方式示于附图中。
图1A根据本揭示案的一个实施方式描绘静电夹具(ESC)的分解视图。
图1B至1E根据本揭示案的实施方式描绘电极的多种示例性排列的截面图。
图2A根据本揭示案的另一实施方式描绘具有图1的ESC的基板支撑组件的截面图。
图2B根据本揭示案的另一实施方式描绘绝缘基部的一部分的放大俯视图,示出加热元件及电极的排列。
图3根据本揭示案的一个实施方式描绘图2A的基板支撑组件的示意俯视图,其中一层的一部分被切开以暴露绝缘基部104。
图4A至4C描绘图2A的基板支撑组件的部分截面图,示出加热元件的多种示例性排列。
图5根据本揭示案的另一实施方式描绘使用电感加热元件的基板支撑组件的示意部分截面图。
图6根据本揭示案的一个实施方式描绘用于制造静电夹具的方法的流程图。
然而应注意,附图仅图示本揭示案的典型实施方式,因此不应被视为对本揭示案的范围的限制,因为本揭示案可允许其他等同有效的实施方式。为了利于理解,尽可能的使用相同的元件符号,以标示各图中共同的相同元件。应理解一个实施方式的元件可有利地用于其他实施方式中,而不需进一步的详述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造