[发明专利]全N型晶体管反相器电路

权利要求书

1.一种全n型薄膜晶体管TFT电路，其包括：

第一反相器，其包含：

输入电压互连件；

输入TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第一低电压源；

下拉TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第二低电压源；

放电TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第三低电压源；

第一上拉TFT，其从其源极耦合到所述下拉TFT的汲极和电容器的第一端子，从其栅极耦合到所述输入TFT的汲极和所述电容器的第二端子，且从其汲极耦合到第一高电压源；

第二上拉TFT，其从其源极耦合到所述放电TFT的汲极，从其栅极耦合到所述第一上拉晶体管的所述源极且耦合到所述电容器的第一端子和所述下拉TFT的所述汲极，且从其汲极耦合到第二高电压源；及

输出电压互连件，其耦合到所述第二上拉TFT与所述放电TFT之间的节点，

其中所述下拉TFT的尺寸大于所述输入TFT的尺寸，从而响应于所述输入电压互连件上的输入电压从对应于逻辑1的电压转变为对应于逻辑0的电压，从所述输入TFT和所述下拉TFT馈通的输入电压的差足以使所述第一上拉TFT从闭合状态切换到打开状态。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二低电压源输出比由所述第一低电压源输出的电压更负的电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一低电压源为接地装置。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一高电压源输出比由所述第二高电压源输出的电压更正的电压。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一、第二和第三低电压源及所述第一和第二高压源为DC电压源。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入TFT、所述下拉TFT、所述放电TFT及所述第一和第二上拉TFT经配置，使得所述输出电压互连件上的电压与所述输入电压互连件上的电压逻辑相反。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述电容器为浮动电容器。

8.根据权利要求1所述的电路，其中逻辑低输入电压与由所述第二低电压源输出的所述电压之间的差的绝对值小于所述第一上拉TFT的阈值电压。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述逻辑低输入电压约等于由所述第一低电压源输出的所述电压且高输入电压等于由所述第二高电压源输出的所述电压。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入TFT、所述下拉TFT、所述放电TFT、所述第一上拉TFT及所述第二上拉TFT中的至少一者包含包括导电氧化物的通道。

11.根据权利要求1所述的电路，其中由所述第一低电压源输出的所述电压约等于由所述第三低电压源输出的电压。

12.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括第二反相器，其中所述第一反相器的所述输出电压互连件电耦合到所述第二反相器的输入电压互连件，使得所述第一和第二反相器一起作为缓冲器而操作。

13.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括：

第六TFT，其在其栅极处耦合到触发信号，在其汲极处耦合到数据输入互连件，且在其源极处耦合到所述第一反相器的所述输入电压互连件；

第二反相器，其在其输入电压互连件处耦合到所述第一反相器的所述输出电压互连件，且在其输出电压互连件处耦合到所述第一反相器的所述输入电压互连件；

第七晶体管，其在其栅极处耦合到反相触发信号且在其汲极处耦合到所述第一反相器电路的所述输出电压互连件；

第三反相器，其在其输入电压互连件处耦合到所述第七晶体管的源极和第四反相器的输出电压互连件，且在其输出电压互连件处耦合到所述第四反相器的输入电压互连件，其中所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器、所述第四反相器、所述第六晶体管及所述第七晶体管形成D正反器。

14.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括：

显示器；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；以及

存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。