[发明专利]具有高热波长调谐效率的可调激光器

说明书

一种单片集成热可调激光器，包括：分层衬底，所述分层衬底包括上表面和下表面，以及热调谐组件，所述热调谐组件包括：定位在所述上表面上的加热元件；定位在所述上表面与所述下表面之间的波导层，以及定位在所述波导层与所述下表面之间的隔热层，其中所述隔热层至少部分由磷化铟(Indium Phosphide，InP)牺牲层刻蚀出，其中所述隔热层定位在砷化铟镓(Indium Gallium Arsenide，InGaAs)刻蚀停止层之间。

相关申请案交叉申请

本发明要求陈宏民(Hongmin Chen)等人在2013年4月30日递交的发明名称为“具有高热波长调谐效率的可调激光器(Tunable Laser With High Thermal WavelengthTuning Efficiency)”的美国临时专利申请案第61/817，731号的在先申请优先权，该在先申请的内容以引入的方式并入本文本中，如同全文复制一样。

关于由联邦政府赞助研究或开发的声明

不适用

参考缩微胶片附录

不适用

技术领域

无

背景技术

单片集成激光器可以是在磷化铟(Indium Phosphide，InP)晶片等单一晶片上制造的激光器。可调激光器可以是具有可控的在相当大的波长范围上连续改变的输出波长的激光器。可调激光器可以通过将电流或热量注入到调谐装置中来控制。此类热量和/或电流可以使得调谐装置选择性地改变，从而可以导致所希望的波长的集中的光输出。许多结构可以用于控制在单片集成激光器中和/或在其它光传输背景下的光输出。

发明内容

在一个实施例中，本发明包含一种单片集成热可调激光器，包括：分层衬底，所述分层衬底包括上表面和下表面，以及热调谐组件，所述热调谐组件包括：定位在上表面上的加热元件；定位在上表面和下表面之间的波导层，以及定位在波导层和下表面之间的隔热层，其中所述隔热层至少部分由InP牺牲层刻蚀出，其中所述隔热层定位在砷化铟镓(Indium Gallium Arsenide，InGaAs)刻蚀停止层之间。

在另一实施例中，本发明包含一种通过某一过程制备的用于单片集成激光器的热调谐组件，所述过程包括：形成分层衬底，其中所述分层衬底包括定位在多个InGaAs刻蚀停止层之间的砷化铟铝(Indium Aluminum Arsenide，InAlAs)牺牲层；将加热元件附接在分层衬底的表面上；通过所述InGaAs刻蚀停止层容纳刻蚀剂并通过刻蚀掉InAlAs牺牲层的至少一部分在分层衬底中形成悬空式隔热结构。

在另一实施例中，本发明包含一种制造热调谐组件的方法，包括：形成分层衬底，其中所述分层衬底包括定位在多个InGaAs刻蚀停止层之间的InP牺牲层；将加热元件定位在分层衬底的上表面上；通过所述InGaAs刻蚀停止层容纳刻蚀剂并通过刻蚀掉InP牺牲层的至少一部分在分层衬底中形成悬空式隔热结构。

从结合附图以及权利要求书进行的以下详细描述将更清楚地理解这些以及其他特征。

附图说明

为了更透彻地理解本发明，现参阅结合附图和具体实施方式而描述的以下简要说明，其中的相同参考标号表示相同部分。

图1是用于单片集成可调激光器的热调谐组件的实施例的俯视图。

图2是图1的示意图的纵向截面。

图3是图1的示意图的第一横向截面。

图4是图1的示意图的第二横向截面。

图5是图1的示意图的第三横向截面。

图6是热调谐组件的实施例的第一制造过程步骤的图示。