[发明专利]电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆有效
申请号: | 201480037280.1 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN105340376B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B32B9/00;C22C13/00;C22C19/03;C23C8/12;C23C14/06;C23C28/00;H01B7/17;C25D5/12;C25D5/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;刘力 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 屏蔽 金属 材料 电缆 | ||
1.电磁波屏蔽用金属箔,其中,在由金属箔形成的基材的一个面或两面形成有Sn-Ni合金层,在该Sn-Ni合金层的表面形成有含Sn和Ni的氧化物,
所述Sn-Ni合金层含有20-80质量%Sn,厚度为30-500nm,
距最表面的深度设为Xnm,通过XPS进行深度方向分析,
Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为X0时,30nm≥Xo≥0.5nm,且区间[0, Xo]中满足0.4≥∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≥0.05。
2.权利要求1所述的电磁波屏蔽用金属箔,其中,所述Sn-Ni合金层进一步含有选自P、W、Fe和Co的1种以上的元素。
3.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用金属箔,其中,所述Sn-Ni合金层含有10质量%以下的所述基材的构成元素。
4.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用金属箔,其中,在所述Sn-Ni合金层和所述基材之间形成基底层,所述基底层由下列层构成:由Ni形成的金属层,或由Ni与P、W、Fe或Co形成的合金层。
5.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽用金属箔,其中,所述基材由金、银、铂、不锈钢、铁、镍、锌、铜、铜合金、铝或铝合金形成。
6.权利要求4所述的电磁波屏蔽用金属箔,其中,所述基材为铝或铝合金,在所述基材和所述基底层之间形成Zn层。
7.电磁波屏蔽材料,其中,在权利要求1-6中任一项所述的电磁波屏蔽用金属箔的一个面上层合有树脂层。
8.权利要求7所述的电磁波屏蔽材料,其特征在于:所述树脂层为树脂膜。
9.屏蔽电缆,其由权利要求7或8所述的电磁波屏蔽材料屏蔽。
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