[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

说明书

光电子器件（10、20、30、40）包括光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被成形体（100）覆盖。在成形体（100）的上侧（101）上布置有第一金属化部（510）。第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘。在第一金属化部（510）上布置有第一材料（610、615）。

技术领域

本发明涉及光电子器件以及用于制造光电子器件的方法。

背景技术

本专利申请要求德国专利申请10 2013 212 247.0的优先权，该德国专利申请的公开内容特此通过引用被接纳。

从DE 10 2009 036 621 A1中已知用于制造光电子器件的方法，在所述方法中光电子半导体芯片被布置在载体的上侧上。光电子半导体芯片利用成形体被环绕成形，所述成形体覆盖光电子半导体芯片的所有侧面。光电子半导体芯片的上侧和下侧优选地保持空闲。在移除载体后，光电子器件可以被分离。在每个半导体芯片的上和/或下侧上可以设置接触部位。所述成形体例如可以由基于环氧树脂的模制材料构成。

发明内容

本发明的任务在于提供一种光电子器件。该任务通过具有根据本发明的光电子器件来解决。本发明的另一任务在于说明一种用于制造光电子器件的方法。该任务通过根据本发明的用于制造光电子器件的方法来解决。

光电子器件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体中，使得光电子半导体芯片的上侧至少部分地没有被成形体覆盖。在此，在成型体的上侧上布置有第一金属化部。第一金属化部相对光电子半导体芯片被电绝缘。在第一金属化部上布置有第一材料。第一材料例如可以通过电泳沉积被布置在第一金属化部上。因为第一金属化部相对光电子半导体芯片被电绝缘，所以第一材料在此不沉积在光电子半导体芯片的上侧上。有利地，成形体、第一金属化部和光电子器件的布置在第一金属化部上的第一材料分别具有小的厚度。由此，光电子器件有利地总共仅具有非常小的结构高度。光电子器件的总厚度在此可以仅仅略微大于光电子半导体芯片的厚度。在横向方向上光电子器件也可以有利地具有非常紧凑的尺寸。光电子器件的另一优点在于可以高密度地构造布置在第一金属化部上的材料。

在所述光电子器件的一种实施方式中，第一材料具有TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂或HfO₂。由此，第一材料可以有利地具有高的光学反射率。由此，在成形体的上侧上的第一金属化部上布置的第一材料可以用作光电子器件的光学反射器。由光电子器件的光电子半导体芯片发射的、在光电子器件的环境中被散射回到光电子器件的成形体的电磁辐射于是可以通过由第一材料形成的反射器被反射，由此阻止在光电子器件的成形体的上侧上对电磁辐射的吸收。由此可以有利地提高由光电子器件的光电子半导体芯片发射的电磁辐射的可用份额。因为在成形体的上侧上的第一金属化部上布置的第一材料可以形成高密度层，所以可以放弃第一金属化部的高反射率。这使得能够由低成本的以及腐蚀稳定的材料、例如铝来构造第一金属化部。

替代地，光电子器件的第一材料具有有色颜料。由此，第一材料可以产生光电子器件的所期望的色彩印象。第一材料为此例如可以具有无机颜料或过渡金属的氧化物或硫化物。

在所述光电子器件的一种实施方式中，在光电子半导体芯片的上侧之上布置具有发光物质的元件，所述发光物质被构造用于转换电磁辐射的波长。有利地，所述元件由此可以转换由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的波长。为此，所述元件可以吸收具有第一波长的电磁辐射并且为此发射具有典型地更大的第二波长的电磁辐射。发光物质在此例如可以是有机的或无机的发光物质。该发光物质也可以包括量子点。