[发明专利]光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.光电子器件（10、20、30、40），具有光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被所述成形体（100）覆盖，

其中在所述成形体（100）的上侧（101）上布置有第一金属化部（510），

其中所述第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘，

其中在第一金属化部（510）上布置有第一材料（610、615）。

2.根据权利要求1所述的光电子器件（10、20、30、40），

其中所述第一材料（610、615）具有TiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂、HfO₂或有色颜料。

3.根据前述权利要求之一所述的光电子器件（10、20、30、40），

其中在所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）之上布置有具有发光物质的元件（620、640、650、660），所述发光物质被构造用于转换电磁辐射的波长。

4.根据权利要求1或2所述的光电子器件（10、20、30、40），

其中导电的贯通接触部（300）被嵌入到所述成形体（100）中。

5.根据权利要求1或2所述的光电子器件（10、20、30、40），

其中保护二极管（400）被嵌入到所述成形体（100）中。

6.用于制造光电子器件（10、20、30、40）的方法，

具有下列步骤：

- 提供第一光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述第一光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被成形体（100）覆盖，

- 将第一金属化部（510）施加在所述成形体（100）的上侧（101）上，使得所述第一金属化部（510）相对所述第一光电子半导体芯片（200）被电绝缘，

- 借助于电泳沉积将第一材料（610、615）沉积在所述第一金属化部（510）上。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所述第一材料（610、615）以颗粒的形式被沉积，所述颗粒具有200nm和10μm之间的平均大小。

8.根据权利要求6所述的方法，

其中所述第一材料（610、615）以颗粒的形式被沉积，所述颗粒具有400nm和800nm之间的平均大小。

9.根据权利要求6至8之一所述的方法，

其中提供嵌入到所述成形体（100）中的第一光电子半导体芯片（200），使得所述第一光电子半导体芯片（200）的下侧（202）至少部分地没有被成形体（100）覆盖。

10.根据权利要求6至8之一所述的方法，

其中提供嵌入到所述成形体（100）中的第一光电子半导体芯片（200）包括借助于模制过程来将所述第一光电子半导体芯片（200）嵌入到所述成形体（100）中。

11.根据权利要求6至8之一所述的方法，

其中所述方法包括下列另一步骤：

- 将第二金属化部（520）施加在所述成形体（100）的上侧（101）上，所述第二金属化部相对所述第一金属化部（510）被电绝缘。

12.根据权利要求6至8之一所述的方法，

其中所述方法包括下列另一步骤：

- 借助于电泳沉积来沉积第二材料（620、625）。