[发明专利]电路和用于制造用以驱控负载的电路的方法在审

专利信息
申请号: 201480036112.0 申请日: 2014-05-26
公开(公告)号: CN105340368A 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 托马斯·迈尔 申请(专利权)人: ZF腓德烈斯哈芬股份公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨靖;车文
地址: 德国腓德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电路 用于 制造 用以 负载 方法
【权利要求书】:

1.用于驱控负载(104)的电路(102),其中,所述电路(102)具有带第一表面和与所述第一表面相对置的第二表面的电路载体(310)、布置在所述第一表面上的中间回路电容器(314)和布置在所述第二表面上的并且与所述中间回路电容器(314)以能导电方式相连的用于为所述负载(104)提供电能的功率半导体(312),其中,所述中间回路电容器(314)和功率半导体(312)就所述电路载体(310)而言相对置地布置,其特征在于,所述中间回路电容器(314)的朝向所述电路载体(310)的第一表面的基面与所述功率半导体的朝向所述电路载体(310)的第二表面的基面相叠,并且所述功率半导体(312)至少具有第一电接头(325)和第二电接头(326、327),其中,所述第一电接头(325)导电地与布置在所述功率半导体(312)背离所述电路载体(310)第二表面那侧上的导热面(329)相连。

2.根据权利要求1所述的电路(102),其特征在于,所述负载是车辆(100)的电马达。

3.根据权利要求1所述的电路(102),其特征在于,所述功率半导体(312)是反向功率末级。

4.根据权利要求1所述的电路(102),其特征在于,所述功率半导体(312)是反向MOSFET或者直接场效应晶体管。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路(102),其特征在于,所述第一电接头(325)和所述第二电接头(326、327)布置在所述功率半导体(312)朝向所述电路载体(310)第二表面那侧上,并且所述功率半导体(312)构造成经由所述第一电接头(325)来引导用于所述负载(104)的电能。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电路(102),其特征在于,所述电路(102)具有功率半导体散热体(317),所述功率半导体散热体与所述功率半导体(312)的导热面(329)相连。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电路(102),其特征在于,所述电路(102)具有中间回路电容器散热体(316),所述中间回路电容器散热体与所述中间回路电容器(314)背离所述电路载体(310)第一表面的那侧相连。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的电路(102),其特征在于,所述电路(102)具有功率半导体散热体(317),所述功率半导体散热体与所述功率半导体(312)的导热面(329)相连,其中,在所述功率半导体(312)的导热面(329)与所述功率半导体散热体(317)之间布置有导热材料(419),和/或所述电路(102)具有中间回路电容器散热体(316),所述中间回路电容器散热体与所述中间回路电容器(314)背离所述电路载体(310)第一表面的那侧相连,其中,在所述中间回路电容器散热体(316)与所述中间回路电容器(314)背离所述电路载体(310)第一表面那侧之间布置有其他导热材料(418)。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的电路(102),其特征在于,所述电路(102)具有壳体,其中,所述电路载体(310)布置在所述壳体内,并且所述电路(102)具有中间回路电容器散热体(316),所述中间回路电容器散热体与所述中间回路电容器(314)背离所述电路载体(310)第一表面的那侧相连,其中,所述壳体的第一壳体壁成形出所述中间回路电容器散热体(316),和/或所述电路(102)具有功率半导体散热体(317),所述功率半导体散热体与所述功率半导体(312)的导热面(329)相连,其中,所述壳体的与所述第一壳体壁相对置的第二壳体壁成形出所述功率半导体散热体(317)。

10.根据权利要求1或2所述的电路(102),其特征在于,所述功率半导体(312)实施为晶体管,其中,所述晶体管的第一电接头(325)、第二电接头(326)和第三电接头(327)经由布置在所述电路载体(310)的第二表面上的接触面与所述电路载体(310)导电地相连。

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