[发明专利]用于制备含氧化铟的层的制剂、其制备方法及其用途

说明书

本发明涉及能够通过将至少一种醇化铟化合物溶解在至少一种溶剂中而制备的液体制剂，其中该醇化铟化合物可以通过使如下物质反应而制备：三卤化铟InX₃，其中X=F、Cl、Br、I，和式R'₂NH的仲胺，其中R'=烷基，与所述三卤化铟的摩尔比为8:1至20:1，在通式ROH的醇的存在下，其中R=烷基；本发明还涉及其制备方法、其用于制备含氧化铟的层或者（半）导体层的用途以及使用本发明的制剂制备含氧化铟的层的方法。

本发明涉及用于制备含氧化铟的层的制剂、其制备方法及其用途。

与许多的其它方法例如化学气相沉积(CVD)相比，依靠印刷和其它液体沉积方法来制备半导体电子组件层能够产生显著更低的制造成本，因为半导体能够在此以连续的工艺来沉积。此外，在较低的加工温度情况下，还开辟了下面的可能性：在柔性基材上工作，并且可能(特别是在非常薄的层的情况中，和特别是在氧化物半导体的情况中)实现印刷层的光学透明度。半导体层在这里和下面被理解为表示这样的层，其在50V栅源电压和50 V漏源电压时，在通道长度为20 µm的组件的情况中，具有1-50 cm²/Vs的载流子迁移率。

因为打算依靠印刷方法制造的组件层的材料对于具体层的性质具有决定性作用，因此它的选择对于含有这种组件层的各组件具有重要影响。用于印刷半导体层的重要参数是它们具体的载流子迁移率和它们的制造中所用的可印刷前体的加工性和加工温度。该材料应当具有良好的载流子迁移率，并且能够在明显低于500℃的温度从溶液中来制备，目的是适于多种应用和基材。同样对于许多新应用来说令人期望的是所获得的半导体层的光学透明度。

由于3.6到3.75 eV的大的带隙(在蒸镀的层上测量，H.S. Kim，P.D. Byrne，A.Facchetti，T.J. Marks；J. Am. Chem. Soc. 2008，130，12580-12581)，氧化铟(氧化铟(III)，In₂O₃)是一种有前景的和因此乐意使用的半导体。此外，几百纳米厚度的薄膜可以在可见光范围的550nm具有大于90%的高透明度。在极高有序的氧化铟单晶中，另外还可以测量到至多160 cm²/Vs的载流子迁移率。但是，这样的值通过从溶液中的加工迄今为止仍然无法实现(H. Nakazawa，Y. Ito，E. Matsumoto，K. Adachi，N. Aoki，Y. Ochiai；J. Appl. Phys. 2006，100，093706和A. Gupta，H. Cao，Parekh，K.K.V. Rao，A.R. Raju，U.V.Waghmare；J. Appl. Phys.，2007，101，09N513)。

氧化铟经常尤其与氧化锡(IV)(SnO₂)一起作为半导体混合氧化物ITO来使用。由于ITO层相对高的电导率以及同时具有的在可见光范围中的透明度，它尤其用于液晶显示器(LCD)中，特别是用作“透明电极”。这些通常掺杂的金属氧化物层在工业上尤其是通过昂贵的蒸镀方法在高真空来制造。由于ITO涂覆的基材大的经济利益，这里现在存在着一些针对含氧化铟的层的涂覆方法，特别是基于溶胶-凝胶技术的涂覆方法。

原则上，存在着两种经由印刷方法来制造氧化铟半导体的可能方式：1)颗粒概念，在其中(纳米)颗粒存在于可印刷的分散体中，并且在印刷过程之后，通过烧结过程转化成期望的半导体层，和2)前体概念，在其中在印刷适当的组合物之后，将至少一种可溶的或者可分散的前体转化成含氧化铟的层。颗粒概念与使用前体相比具有两个重要缺点：首先，该颗粒分散体具有胶体不稳定性，其必须使用分散添加剂(这在随后的层性质方面是不利的)；其次，许多能够使用的颗粒通过烧结仅仅不完全地形成了层(例如归因于钝化层)，从而在层中出现了部分仍然粒状的结构。这导致在其颗粒边界处相当大的颗粒-颗粒阻抗，这降低了载流子的迁移率和提高了普遍的层阻抗。