[发明专利]反应器气体面板的共同排气

说明书

描述了一种基板处理系统，该基板处理系统具有反应器及气体面板、及用于反应器及气体面板的共同排气。来自反应器的排气导管被发送至气体面板，且来自反应器的排放气体用以净化气体面板。来自反应器的气体可在流至气体面板之前被冷却。

技术领域

本文公开了用于半导体处理的方法及设备。更具体而言，本文所公开的实施方式涉及用于外延沉积的方法及设备。

背景技术

外延是在半导体处理中被广泛地使用以在半导体基板上形成非常薄的材料层的处理。这些层通常界定半导体装置的最小特征中的一些最小特征，且如果晶体材料的电子特性是所期望的，那么这些层可具有高质量的晶体结构。沉积前驱物通常被提供至设置基板的处理腔室中，基板被加热至有利于具有期望特性的材料层生长的温度。

外延处理通常通过在反应器中设置基板、使前驱物气体混合物流至反应器中、及执行沉积膜于基板上的反应而于反应器中执行。未反应的气体、副产物及由基板所释放的任何气体流出反应器至排气操纵(handle)系统。这些气体通常不被回收。

随着制造标准增多，对更有效率且更有成本效益的制造处理的努力持续进行着。仍持续存在着对低成本的半导体处理腔室及工艺的需求。

发明内容

本文所述的实施方式提供一种基板处理系统，该基板处理系统具有反应器及气体面板，及用于反应器及气体面板的共同排气。来自反应器的排气导管被发送(route)至气体面板，且来自反应器的排放气体用以净化气体面板。来自反应器的气体可在流至气体面板之前被冷却。

附图简要说明

因此以可详细理解本发明的上述特征的方式，通过参照实施方式来获得上文简要概述的本发明的更具体的描述，这些实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施方式，且因此这些附图不应被视为对本发明的范围的限制，因为本发明可允许其他等效实施方式。

图1是根据一个实施方式的处理腔室的示意剖视图。

图2是根据另一实施方式的半导体处理系统的透视图。

具体实施方式

图1是根据一个实施方式的半导体处理系统100的示意图。处理系统100具有反应器102、用于使气体流至反应器102的气体面板104、及耦接至气体面板的排气系统106。气体面板104具有一个或更多个导管108，这些导管108运载气体至反应器102。气体面板104中的阀及配件控制通过导管108的气流。处理气体通过入口112流至反应器102中，且通过排气管线134从反应器102被排出。诸如真空泵之类的泵132可用以从反应器102排放气体。

反应器102通常容纳于外壳(enclosure)124中。冲洗气体通常从气源130例如鼓风机或空气驱动器通过导管128而流过外壳124。冲洗气体流过外壳124及反应器102的四周，而夹带从反应器102或所连接的管路逸出的任何气体。冲洗气体可为诸如空气之类的任何方便取得的周围气体混和物。

排气管110将反应器外壳124耦接至气体面板104。排气管线110耦接至气体面板104的排放气体入口114，且提供用于冲洗气体面板104的内部的气体，以从气体面板104中的配件及阀移除散逸的气体。冲洗气体从反应器外壳124流过导管110到达入口114。排放气体入口114可定位于气体箱的任何方便的位置。风门(damper)122可设置于排气管线110中，以控制反应器外壳124中的压力和/或通过气体面板104的排放气体流。压力传感器136可用以通过控制风门122并基于来自压力传感器的压力信号来维持反应器外壳124中的所期望的压力。隔膜或压电装置可用于此压力传感器。

排气管线116将气体面板104耦接至排气泵118。排气管线116耦接至气体面板104的排气出口120。排气出口120可定位成把通过气体面板104的气流最大化，且把对来自气体面板104的所有气体进行的移除最大化。