[发明专利]反应器气体面板的共同排气有效
申请号: | 201480035706.X | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN105340060B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 丹尼斯·L·德马斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反应器 气体 面板 共同 排气 | ||
1.一种基板处理设备,所述基板处理设备包括:
外壳;
反应器,所述反应器设置在所述外壳中;
气体面板,所述气体面板耦接至所述反应器;
腔室排气操纵器,所述腔室排气操纵器流体地耦接至所述外壳;
第一排气导管,所述第一排气导管在第一端流体地耦接至所述腔室排气操纵器且在第二端流体地耦接至所述气体面板的排气入口;及
第二排气导管,所述第二排气导管在第三端流体地耦接至所述气体面板的排气出口且在第四端流体地耦接至排气泵。
2.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述腔室排气操纵器位于所述外壳中。
3.如权利要求2所述的基板处理设备,进一步包括风门,所述风门设置于所述第一排气导管中。
4.如权利要求3所述的基板处理设备,进一步包括框架,其中所述第一排气导管设置成穿过所述框架的顶部部分。
5.如权利要求4所述的基板处理设备,进一步包括冷却器,所述冷却器流体地耦接至所述第一排气导管。
6.如权利要求5所述的基板处理设备,其中所述冷却器包括液体收集器。
7.一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:
反应器,所述反应器设置于反应器外壳中;
气体面板,所述气体面板耦接至所述反应器;
排气管线,所述排气管线耦接至所述反应器外壳;及
共同排气路径,所述共同排气路径将所述反应器外壳与所述气体面板耦接。
8.如权利要求7所述的基板处理系统,其中所述共同排气路径于所述反应器外壳的上部部分处耦接至所述反应器外壳,且于所述气体面板的上部部分处耦接至所述气体面板。
9.如权利要求8所述的基板处理系统,其中所述共同排气路径包括所述气体面板的下部部分处的气体面板排气口。
10.如权利要求9所述的基板处理系统,进一步包括腔室排气操纵器,所述腔室排气操纵器流体地耦接至所述反应器外壳及所述排气路径。
11.如权利要求10所述的基板处理系统,进一步包括风门,所述风门设置在介于所述反应器外壳与所述气体面板之间的所述共同排气路径中。
12.如权利要求7所述的基板处理系统,进一步包括腔室排气操纵器,所述腔室排气操纵器设置于所述共同排气路径中。
13.如权利要求12所述的基板处理系统,进一步包括冷却器,所述冷却器设置于所述共同排气路径中。
14.如权利要求13所述的基板处理系统,进一步包括压力传感器,所述压力传感器耦接至设置于所述共同排气路径中的风门。
15.如权利要求14所述的基板处理系统,其中所述共同排气路径于所述气体面板的上部部分处耦接至所述气体面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480035706.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:SOI衬底制备方法和SOI衬底
- 下一篇:用于等离子体反应器的增强等离子体源
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造