[发明专利]在存储器中筛选参考单元

说明书

技术领域

本发明涉及在存储器中筛选参考单元。

背景

在除了别的以外的半导体制造工艺、数字系统的体系结构和无线基础设施中的进展，已经导致大量的电子产品，特别是消费产品，其驱动对于在非易失性存储器中不断增加的性能和密度的需要。增加非易失性存储器(诸如但不限于，闪存存储器)的性能和密度的一种方式是缩小在闪存存储器中的以存储器单元形式被使用的晶体管的尺寸。众所周知，缩小晶体管的物理尺寸也减小了存储媒介本身的大小，并且因此降低了可以存储的电荷量。然而，该方法的一个缺点是此类系统更易于制造缺陷以及较大的单元间变化。这些制造缺陷和变化影响存储器单元和参考存储器单元，从而降低非易失性存储器的操作性和可靠性。

常规地，为给定存储器选择参考单元的方式是(例如)由制造商固定的硬件。因此，一旦被固定，参考单元的选择就不能改变。一般来讲，基于与非易失性存储器相关联的技术为非易失性存储器选择参考单元。同样地，当常规地被固定的参考受到制造缺陷或单元间变化等的影响时，整个非易失性存储器失败，例如，因为关于非易失性存储器中的任何存储器单元的某些操作，诸如读取操作，可能不能成功地进行。

由于制造缺陷，在参考单元上的一种可能的影响是参考单元具有高随机电报噪声(RTN)。在该情况下，与参考单元相关联的参考阈值电压和/或有源参考电流电平呈现不稳定。这导致这些电平与存储器的给定存储器单元相关联的对应电平的不可靠比较。结果，例如，关于在非易失性存储器中的给定存储器单元的某些操作，诸如读取操作，可能不能成功地进行。

由于制造缺陷或单元间变化，在参考单元上另一种可能的影响是参考单元变得较不鲁棒和较不可靠。例如，假定与参考单元相关联的参考阈值电压和/或有源参考电流电平可以是可编程的。在该情况下，与参考单元相关联的参考阈值电压和/或有源参考电流电平可能必须被校准到例如5V的期望电平。最后，参考阈值电压和/或有源参考电流电平应该是稳定的，例如，使得某些操作，诸如读取操作，可成功地进行。在该情况下，当参考单元已受到制造缺陷或单元间变化的影响时，越来越多的过编程和/或过擦除操作需要在参考单元上被执行以将参考阈值电压稳定在5V的期望电平。过编程操作可以是当发现测量的参考阈值电压小于5V的期望电平时增大测量的参考阈值电压的操作，并且过擦除操作可以是当发现测量的参考阈值电压大于5V的期望电平时减小测量的参考阈值电压的操作。然而，执行该增加的数目的过编程和/或过擦除操作以将参考阈值电压稳定在5V的期望电平降低了参考单元的完整性和稳定性，从而使参考单元较不鲁棒且较不可靠。

概述

在本文中描述用于在存储器中筛选参考存储器单元的系统、方法和计算机程序产品的实施例。

在实施例中，系统包括存储器和处理器以使能从存储器中的多个阵列当中对作为参考阵列的阵列的选择、对在参考阵列内的存储器单元的评估以选择与存储器的第一操作相关联的第一参考单元以及该评估的重复以从参考阵列内选择第二参考单元。第二参考单元与存储器的第二操作相关联，对于多个参考是诸如此类的。

在另一个实施例中，描述了用于在存储器中筛选参考单元的方法。所述方法通过从存储器中的多个阵列当中选择阵列作为参考阵列、评估在参考阵列内的存储器单元以选择与存储器的第一操作相关联的第一参考单元以及重复该评估以从参考阵列内选择第二参考单元来操作。第二参考单元与存储器的第二操作相关联，对于多个参考是诸如此类的。

下面参考附图详细描述本发明的进一步的特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。值得注意的是，本发明并不限于在本文中所描述的特定实施例。在本文中呈现的此类实施例仅用于说明目的。基于在本文中所包含的教导，附加实施例对于相关领域技术人员来说将是明显的。

附图简述

结合在此并形成本说明书的一部分的附图示出本发明的实施例并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理并使本领域技术人员能够制造和使用本发明。

图1根据实施例示出包括存储器单元的示例性存储器阵列。

图2根据实施例示出示例性流程图，其说明了用于选择参考单元的过程。

图3根据实施例示出示例性流程图，其进一步详细地说明了用于选择参考单元的过程。

图4示出对于实现各种实施例是有用的示例性计算机系统。

详细描述