[发明专利]在存储器中筛选参考单元有效
申请号: | 201480033825.1 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN105283922B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | Z·刘;辛迪·孙;贺·易;古尔扎·卡萨瓦拉 | 申请(专利权)人: | 赛普拉斯半导体公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C16/04 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 周靖,郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 筛选 参考 单元 | ||
1.一种用于在存储器中筛选参考单元的方法,包括:
从存储器中的多个阵列当中选择阵列作为参考阵列;
评估在所述参考阵列内的存储器单元以选择与所述存储器的第一操作相关联的第一参考单元,所述评估包括:
当与一存储器单元相关联的阈值电压在目标阈值电压范围内时,选择该存储器单元作为所述第一参考单元;
获得与存储器单元相关联的多个测得的RTN值;
通过取在所述参考阵列内的所述存储器单元的两个测得的RTN值之间的差来计算增量RTN值;以及
确定所述增量RTN值是否小于所述第一参考单元的预先确定的目标RTN值。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述评估还包括:
基于所述存储器单元的操作参数确定所述目标阈值电压范围;
测量与所述存储器单元相关联的所述阈值电压;以及
确定所测量的阈值电压是否在所述预先确定的目标阈值电压范围内。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述评估还包括:
校准所测量的阈值电压以更接近期望的阈值电压。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
确定是否重复所述评估以从所述参考阵列内选择第二参考单元,所述第二参考单元与所述存储器的第二操作相关联。
5.一种用于在存储器中筛选参考单元的方法,包括:
从存储器中的多个阵列当中选择阵列作为参考阵列;
评估在所述参考阵列内的存储器单元以选择与所述存储器的第一操作相关联的第一参考单元,所述评估包括:
当与一存储器单元相关联的阈值电压在目标阈值电压范围内时,选择该存储器单元作为所述第一参考单元;
从所述参考阵列内的所述存储器单元获得RTN值的多个测量值;
通过取最大RTN值与最小RTN值之间的差来计算增量RTN值;以及
确定所述增量RTN值是否小于预先确定的目标RTN值;以及
确定是否重复所述评估以从所述参考阵列内选择第二参考单元,所述第二参考单元与所述存储器的第二操作相关联。
6.一种用于在存储器中筛选参考单元的系统,包括:
存储器;以及
处理器,其被配置成:
从所述存储器中的多个阵列当中选择阵列作为参考阵列;
评估在所述参考阵列内的存储器单元以选择与所述存储器的第一操作相关联的第一参考单元,其中,为了评估所述存储器单元,所述处理器还被配置为:
当与一存储器单元相关联的阈值电压在目标阈值电压范围内时,选择该存储器单元作为所述第一参考单元;
从所述参考阵列内的所述存储器单元接收多个RTN值;
通过取在所述参考阵列内的所述存储器单元的两个测得的RTN值之间的差来计算增量RTN值;
确定所述增量RTN值是否小于预先确定的目标RTN值。
7.根据权利要求6所述的系统,其中,为了评估所述存储器单元,所述处理器还被配置成:
接收与所述存储器相关联的所述阈值电压的测量值;以及
确定所测量的阈值电压是否在预先确定的目标阈值电压范围内。
8.根据权利要求7所述的系统,其中,为了评估所述存储器单元,所述处理器还被配置成:
校准所测量的阈值电压以更接近期望的阈值电压。
9.根据权利要求6所述的系统,其中,为了评估所述存储器单元,所述处理器被配置成:
确定是否重复所述评估以从所述参考阵列内选择第二参考单元,所述第二参考单元与所述存储器的第二操作相关联。
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