[发明专利]用于电子器件制造装置的指示器、以及该装置的设计及/或管理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于电子器件制造装置的指示器、以及该装置的设计及/或管理方法。

背景技术

以往，为了制造电子器件，而对基板(被处理基板)进行各种处理。例如，电子器件为半导体时，投入半导体晶圆(晶圆)之后，经过生成绝缘膜或金属膜的成膜工序、形成光致抗蚀剂图案的光刻工序、使用光致抗蚀剂图案对膜进行加工的蚀刻工序、在半导体晶圆形成导电层的杂质添加工序(也称作掺杂、或者扩散工序)、对具有凹凸的膜的表面进行抛光而使其平坦的CMP工序(化学机械抛光)等，进行用于检查图案的完成度或电特性的半导体晶圆电特性检查(有时将至此的工序总称为前工序)。之后，转移至形成半导体晶片的后工序。

在前工序中，除上述工序外，还包括利用等离子体、臭氧、紫外线等的清洗工序；以及利用等离子体、含自由基气体等的光致抗蚀剂图案的去除工序(也称作灰化或灰化去除)等工序。另外，在上述成膜工序中，包括在晶圆表面使反应性气体发生化学反应而成膜的CVD、形成金属膜的溅射等，另外，在上述蚀刻工序中，可列举通过在等离子体中的化学反应而进行的干法刻蚀、通过离子束进行的蚀刻等。上述等离子体是指气体的电离状态，离子、自由基、及电子存在于其内部。

在这样的前工序中，各种处理的晶圆面内均匀性比较重要。这是因为当面内均匀性受损时，则在半导体晶圆会形成多个半导体晶片，从而成为各晶片的性能偏差的原因，影响成品率。因此，为了确认各种处理的面内均匀性，采用单独地实施上述各种处理、并对晶圆的面内均匀性进行评价的方法，实现工艺条件的最优化。关于等离子体自身的均匀性的评价，已有在装置内设置朗缪耳探头来测量等离子体的物理常数的方法。通过对探头位置进行扫描，来评价空间内偏差。或者也有通过对产生的等离子体进行发光分析，来测定等离子体内产生的激发种的方法。通过改变测量视场，对各视场的空间内分布进行评价。

现有技术文献：

专利文献

专利文献1:日本国特开2001-237097号公报

专利文献2:日本国特开2000-269191号公报

发明内容

发明要解决的课题

如上所述，在半导体制造装置内需要对半导体晶圆整体均匀地进行上述处理(选自由等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种的处理)，在制造半导体以外的电子器件(发光二极管(LED)、太阳能电池、液晶显示器、有机EL(Electro-Luminescence)显示器、半导体激光器、功率器件等)方面，也同样需要对基板整体均匀地进行上述处理。然而，在是否均匀地对基板整体进行了上述处理方面存在如下问题，即，上述方法通过实际实施该处理后，另外测量得到的膜的特性或加工精度等来进行确认，在均匀性的确认(从一系列处理至评价为止)方面需要较多的劳力和时间。

另外，通过朗缪耳探头进行确认的方法，需要将本来未设置在装置内的探头设置在上述装置内，针对真空保持的装置伴随有暂时释放大气、设置探头的作业。另外，还存在如下问题，由于需要在实施工艺的空间内插入探头，因此由物理屏蔽的观点来看，在实际进行上述处理时，有时需要再次将其取出，从测定准备至结束需要诸多劳力和时间。

另外，针对通过使用分光装置进行等离子体的发光分析从而对均匀性进行评价的技术而言，虽没有测定装置物理屏蔽的情况，但由于限定于从设置在装置的窗口进行测定，因此在无法看到装置内的情况下，难以对等离子体整体进行测定，效果是有限的。

此外，在朗缪耳探头或等离子体发光分析的方法中，由于并非直接观察各种处理如何对基板(例如半导体晶圆等)的面内分布产生影响，因此伴随有从测定结果进行的解析作业。

另一方面，这些确认均匀性的作业，在上述各电子器件制造装置的设计、或使用上述装置的工序中进行管理时是必不可少的，因此不能省略。

因此，期待开发一种能够简便地检测是否对基板整体均匀地进行了上述处理的技术。

本发明的目的在于提供一种指示器、以及使用上述指示器的装置的设计及/或管理方法，所述指示器在电子器件制造装置内，能够简便地检测是否均匀地对基板整体进行了选自由等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种的处理。

解决课题的方法

本发明者为达成上述目的不断深入研究，其结果，发现通过采用特定的技术能够达成上述目的，从而完成本发明。

即，本发明涉及下述用于电子器件制造装置的指示器以及该装置的设计及/或管理方法。

1.一种指示器，其是用于电子器件制造装置的指示器，其特征在于，