[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态图像拾取元件，包括：

设置在基板中的至少一个第一光电转换部；

设置在所述基板上并包括有机光电转换层的第二光电转换部；和

覆盖所述有机光电转换层的光入射面的紫外线防护膜，

其中所述紫外线防护膜的应力的绝对值为500mPa以下，

其中第二光电转换部包括在所述紫外线防护膜和所述有机光电转换层之间的上部电极，和

其中所述紫外线防护膜、所述上部电极和所述有机光电转换层具有相同的平面形状，并且所述紫外线防护膜的端部、所述上部电极的端部和所述有机光电转换层的端部形成为对齐。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述光在射入所述有机光电转换层中之前射入所述紫外线防护膜中。

3.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中第二光电转换部包括在所述有机光电转换层和所述基板之间的下部电极。

4.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述光包括波长为400nm以下的光，并且所述紫外线防护膜吸收20％以上的所述波长为400nm以下的光。

5.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜的厚度为至少200nm。

6.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述有机光电转换层在所述上部电极和下部电极之间。

7.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜选自氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)、氧化钛(TiO)、氧化钒(VO)、氧化铬(CrO)和氮化铝(AlN)。

8.根据权利要求7所述的固态图像拾取元件，其中所述紫外线防护膜是选自氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)、氧化钛(TiO)、氧化钒(VO)、氧化铬(CrO)和氮化铝(AlN)中的至少两种的叠层。

9.一种固态图像拾取元件的制造方法，所述方法包括：

在基板中形成至少一个或多个第一光电转换部；

在所述基板上形成有机光电转换层；

形成紫外线防护膜以覆盖所述有机光电转换层的光入射面；和

使所述有机光电转换层图案化以形成第二光电转换部，

其中所述紫外线防护膜形成为具有开口，使得所述紫外线防护膜的应力的绝对值为500mPa以下，

其中第二光电转换部包括在所述紫外线防护膜和所述有机光电转换层之间的上部电极，和

其中所述紫外线防护膜、所述上部电极和所述有机光电转换层具有相同的平面形状，并且所述紫外线防护膜的端部、所述上部电极的端部和所述有机光电转换层的端部形成为对齐。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述图案化是使用等离子体照射的干法蚀刻工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在等离子体照射期间，所述紫外线防护膜吸收20％以上的射入所述有机光电转换层中的波长为400nm以下的光。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述紫外线防护膜利用RF功率为500W、基板温度为200℃、压力为5Torr、氮气流量为5000sccm、硅烷流量为500sccm并且氨气流量为100sccm的平行平板型等离子体化学气相沉积单元形成。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述有机光电转换层在所述上部电极和下部电极之间形成。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述紫外线防护膜选自氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)、氧化钛(TiO)、氧化钒(VO)、氧化铬(CrO)和氮化铝(AlN)。