[发明专利]沟槽屏蔽连接结型场效应晶体管

权利要求书

1.一种屏蔽结型场效应晶体管(JFET)，所述屏蔽JFET包括：

源极接触部，

沿第一方向设置在源极电极之下的第一导电类型的沟道区域，所述沟 道区域包括所述第一导电类型的一个或多个平面层，所述沟道区域具有沿 所述第一方向间隔开的上部平面表面和下部平面表面；

第一沟槽，所述第一沟槽具有：

第一底表面，所述第一底表面沿所述第一方向位于所述上部平面 表面与所述下部平面表面之间，所述第一底表面沿所述第一方向延 伸，

第一深度，所述第一深度沿所述第一方向从沟道层的所述上部平 面表面朝向所述第一底表面延伸第一距离，进入所述沟道区域中，

第一中心线，

第一侧壁对，所述第一侧壁对沿垂直于所述第一方向的第二方向 彼此间隔开，所述第一侧壁对从所述第一沟槽的所述第一底表面向所 述沟道区域的所述上部平面表面延伸；

所述沟道区域中的第二导电类型的第一注入U型导电区，所述第 一注入U型导电区包括：(1)沿所述第一沟槽的所述底表面延伸的第 一部分；以及(2)沿所述侧壁对中的每一个侧壁从所述第一沟槽的 所述第一底表面向所述沟道区域的所述上部平面表面延伸的第二部 分；以及

栅极接触部，所述栅极接触部设置在所述第一沟槽中，并且邻近 所述第一沟槽的所述第一底表面；以及

第二沟槽，所述第二沟槽具有：

第二底表面，所述第二底表面沿所述第一方向位于所述上部平面 表面与所述下部平面表面之间，所述第一底表面沿所述第一方向延 伸，

第二深度，所述第二深度沿所述第一方向从所述沟道层的所述上 部平面表面朝向所述第二底表面延伸第二距离，进入所述沟道区域 中，所述第二深度大于所述第一深度；

第二中心线，

第二侧壁对，所述第二侧壁对沿所述第二方向彼此间隔开，所述 第二侧壁对(1)从所述第一沟槽的所述第二底表面朝向所述沟道区 域的所述上部平面表面延伸，以及(2)至少部分地在所述第二沟槽 的所述第二底表面与所述沟道区域的所述上部平面表面之间延伸；

所述沟道区域中的所述第二导电类型的第二注入U型导电区，所 述第二注入U型导电区包括：(1)沿第二U型沟槽的所述第二底表 面延伸的第一部分；(2)沿所述第二侧壁对中的每一个侧壁至少部分 地在所述第二沟槽的所述第二底表面与所述沟道区域的所述上部平 面表面之间延伸的第二部分；以及

屏蔽接触部，所述屏蔽接触部被设置成邻近所述第二沟槽的所述 第二底表面。

2.根据权利要求1所述的屏蔽JFET，其中所述屏蔽接触部被电连接 至所述源极接触部，以将所述屏蔽接触部保持在源极电势。

3.根据权利要求1所述的屏蔽JFET，其中所述屏蔽接触部被电连接 至所述栅极接触部，以将所述屏蔽接触部保持在栅极电势。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的屏蔽JFET，还包括：

沿所述第二沟槽的所述侧壁对中的每一个侧壁延伸的第一未注入区， 第一未注入部分沿所述第一方向被设置在所述第二沟槽的所述第二U型 导电区的所述第二底表面与所述第二部分之间。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的屏蔽JFET，其中所述第二沟 槽的所述第二U型导电区的所述第二部分在所述第一方向上沿所述第二 侧壁对的整个长度从所述第二沟槽的所述第二底表面延伸。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽JFET，其中所述第一中 心线与所述第二中心线完全对准。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的屏蔽JFET，其中所述第二侧 壁对沿所述第一方向在所述第一沟槽的所述第一底表面与所述第二沟槽 的所述第二底表面之间延伸。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的屏蔽JFET，其中所述第一中 心线沿所述第二方向与所述第二中心线间隔第三距离。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的屏蔽JFET，其中所述第一中 心线沿所述第二方向与所述第二中心线间隔第四距离，使得所述第一沟槽 与所述第二沟槽分隔开。