[发明专利]支承玻璃基板及使用其的搬送体

说明书

技术领域

本发明涉及支承玻璃基板及使用其的搬送体，具体来说，涉及在半导体封装件(半导体装置)的制造工序中用于支承加工基板的支承玻璃基板及使用其的搬送体。

背景技术

对于移动电话、笔记本型个人电脑、PDA(PersonalDataAssistance)等便携型电子设备，要求小型化和轻量化。随之，用于这些电子设备的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度的安装成为课题。因此，近年来，通过三维安装技术，即，将半导体芯片彼此层叠，将各半导体芯片间布线连接，从而实现半导体封装件的高密度安装。

另外，以往的晶片级封装(WLP)通过如下方法来制作：以晶片的状态形成凸块后，通过切割来单片化。然而，以往的WLP难以增加接脚数(pincount)，而且在半导体芯片的背面暴露的状态下被安装，因此存在容易发生半导体芯片的缺损等的问题。

因此，作为新的WLP，提出了fanout型的WLP。fanout型的WLP能够增加接脚数，而且，通过保护半导体芯片的端部，能够防止半导体芯片的缺损等。

发明内容

发明要解决的问题

fanout型的WLP具有：用树脂的密封材将多个半导体芯片塑模，形成加工基板后，对加工基板的一个表面进行布线的工序；和形成焊接凸点的工序等。

这些工序由于伴随约200℃的热处理，因而密封材可能变形，加工基板可能发生尺寸变化。若加工基板发生尺寸变化，则对于加工基板的一个表面高密度地布线变得困难，而且正确地形成焊接凸点也变得困难。

为了抑制加工基板的尺寸变化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。然而，即使在使用支承基板的情况下，加工基板的尺寸变化有时也会发生。

本发明鉴于上述情况而完成，其技术课题在于，通过发明难以发生加工基板的尺寸变化的支承基板和使用其的搬送体，从而有助于半导体封装件的高密度安装。

用于解决问题的手段

本发明人等反复进行各种实验的结果发现，通过采用玻璃基板作为支承基板，并严格地限制该玻璃基板的热膨胀系数，能够解决上述技术的课题，作为本发明提出。即，本发明的支承玻璃基板的特征在于，20～200℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为50×10^-7/℃以上且66×10^-7/℃以下。此处，“20～200℃的温度范围内的平均线热膨胀系数”能够利用膨胀计进行测定。

玻璃基板容易使表面平滑化，且具有高刚性。因此，若使用玻璃基板作为支承基板，则能够使加工基板牢固、且正确地进行支承。另外，玻璃基板容易透过紫外光等光。因此，若使用玻璃基板作为支承基板，则通过设置粘接层等，能够容易地固定加工基板与支承玻璃基板。另外，通过设置剥离层等，还能够容易地分离加工基板与支承玻璃基板。

另外，对于本发明的支承玻璃基板而言，20～200℃的温度范围内的平均线热膨胀系数被限制为50×10^-7/℃以上且66×10^-7/℃以下。这样一来，在加工基板内半导体芯片的比例少、密封材的比例多的情况下，加工基板与支承玻璃基板的线热膨胀系数容易匹配。并且，若二者的线热膨胀系数匹配，则加工处理时容易抑制加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)。其结果是，对于加工基板的一个表面，能够高密度地布线，而且还能够正确地形成焊接凸点。

第二，本发明的支承玻璃基板的特征在于，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为50×10^-7/℃以上且70×10^-7/℃以下。此处，“30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数”能够利用膨胀计进行测定。

第三，本发明的支承玻璃基板优选在半导体封装件的制造工序中用于加工基板的支承。

第四，本发明的支承玻璃基板优选相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射率为40％以上。此处，“相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射率”能够通过例如使用双光束型分光光度计，测定波长300nm的分光透射率进行评价。

第五，本发明的支承玻璃基板优选杨氏模量为65GPa以上。此处，“杨氏模量”是指通过弯曲共振法测定的值。需要说明的是，1GPa相当于约101.9Kgf/mm²。