[发明专利]支承玻璃基板及使用其的搬送体在审
| 申请号： | 201480031817.3 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105307993A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 三和晋吉;池田光 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/091 | 分类号： | C03C3/091;C03C3/093;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘婷 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支承 玻璃 使用 搬送体 | ||
1.一种支承玻璃基板，其特征在于，20～200℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为50×10-7/℃以上且66×10-7/℃以下。
2.一种支承玻璃基板，其特征在于，30～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为50×10-7/℃以上且70×10-7/℃以下。
3.如权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，在半导体封装件的制造工序中用于加工基板的支承。
4.如权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射率为40％以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，杨氏模量为65GPa以上。
6.如权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有SiO250～80％、Al2O31～20％、B2O33～20％、MgO0～10％、CaO0～10％、SrO0～7％、BaO0～7％、ZnO0～7％、Na2O5～15％和K2O0～10％。
7.如权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有SiO255～70％、Al2O33～15％、B2O35～20％、MgO0～5％、CaO0～10％、SrO0～5％、BaO0～5％、ZnO0～5％、Na2O5～15％和K2O0～10％。
8.如权利要求1～7中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，是板厚低于2.0mm、直径为100～500mm的晶片形状或圆板形状，且板厚偏差为30μm以下。
9.一种搬送体，其特征在于，是至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的搬送体，支承玻璃基板为权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板。
10.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，具有：
得到至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的搬送体的工序、
搬送搬送体的工序、和
对加工基板进行加工处理的工序，
并且，支承玻璃基板为权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板。
11.如权利要求10所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面进行布线的处理。
12.如权利要求10或11所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊接凸点的处理。
13.一种半导体封装件，其特征在于，通过权利要求10～12中任一项所述的半导体封装件的制造方法来制作。
14.一种电子设备，具备半导体封装件，所述电子设备的特征在于，半导体封装件为权利要求13所述的半导体封装件。
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