[发明专利]切割膜和切割晶片粘合膜

说明书

本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。

技术领域

本发明涉及一种切割膜(dicing film)和切割晶片粘合膜(dicing die-bondingfilm)，更具体而言，涉及一种能够改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力并防止薄型化的半导体晶片受损的切割膜，包括该切割膜的切割晶片粘合膜，以及使用该切割晶片粘合膜的半导体晶圆(wafer)的切割方法。

背景技术

一般而言，制备半导体晶片的工艺包括在晶圆形成微细图案的工艺，并抛光晶圆以满足最终装置规格而进行的工艺。所述封装工艺包括：晶圆检测工艺，检测半导体晶片(chip)的不良；切割晶圆以分离为单个的晶片的切割工艺；将分离的晶片附着至电路膜(circuit film)或引线框架(lead frame)的安装板的晶片粘合工艺(die bondingprocess)；引线接合工艺，通过电连接构件(如导线)来将装配在半导体晶片上的晶片衬垫(chip pad)和引线框架连接；模塑工艺，使用密封材料来覆盖半导体晶片的外部以保护半导体晶片的内部电路和其他组件；修整工艺，切割连接引线的堤坝杠(dambar)；成型(forming)工艺，将引线弯曲成所期望的形状；成品检测工艺，用于检测所完成的封装的不良，等。

通过切割过程来制造彼此从由多个晶片所形成的半导体晶圆分离的单个晶片。从广义上说，所述切割工艺是，研磨(grinding)半导体晶圆的背面，并沿着晶片之间的切割线切割半导体晶圆，由此制造多个彼此分离的单个晶片的工艺。

同时，根据电子器件的微型化和存储容量的增加，近来，已大量使用半导体晶片垂直堆叠的多晶片封装(MCP，multi-chip package)技术，并且为了堆叠更多晶片，各个晶片需要具有薄的厚度。

根据上述半导体晶圆的薄型化，当粘合层和粘合层分离时施加过大的力的情况下，存在的问题是薄型化的晶片会受到损害，从而在切割工艺中的拾取能力降低。

发明内容

技术目的

本发明提供一种能够改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力并防止薄型化的半导体晶片受损的切割膜、包括该切割膜的切割晶片粘合膜、以及使用该切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。

技术方案

本发明的示例性实施方案提供一种切割膜，其包括：基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，且粘合层的交联度为80％至99％。

粘合层的储能模量在80℃下可为1.0*105Pa以上，或1.0*105Pa至4.0*105Pa。

粘合层可包含粘结树脂、光引发剂和交联剂。

粘结树脂可包含玻璃化转变温度为-28℃至-58℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂。在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯可包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。

交联剂可包含选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶(aziridine)类化合物、环氧类化合物和金属螯合物类化合物中的一种以上的化合物。

粘合层可包含0.1至20重量份的光引发剂和0.1至40重量份的交联剂，基于100重量份的粘结树脂计。