[发明专利]切割膜和切割晶片粘合膜

权利要求书

1.一种切割膜，其包含：基底膜；和粘合层，其中：

所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，

所述粘合层的储能模量在80℃下为1.0*105Pa以上，并且

所述粘合层的交联度为85％至98％，

其中，所述粘合层包含粘结树脂、光引发剂和交联剂，并且

所述粘结树脂包括玻璃化转变温度为-28℃至-58℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂，

其中，所述粘合层还包含1至400重量份的紫外线可固化化合物，基于100重量份的所述粘结树脂计；并且包含于所述紫外线可固化化合物主链中的可交联官能团以5mol％至90mol％的量被取代，

其中所述粘合层包含0.1至20重量份的光引发剂和0.1至40重量份的交联剂，基于100重量份的粘结树脂计。

2.权利要求1所述的切割膜，其中：

所述交联剂包括选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶类化合物、环氧类化合物和金属螯合物类化合物中的一种以上化合物。

3.权利要求1所述的切割膜，其中：

所述基底膜为选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜，以及乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的一种聚合物膜。

4.权利要求1所述的切割膜，其中：

所述基底膜的厚度为10μm至200μm，

所述粘合层的厚度为5μm至100μm。

5.一种切割晶片粘合膜，其包括：

权利要求1所述的切割膜；以及形成于所述切割膜的至少一个表面的粘合层。

6.权利要求5所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述粘合层包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。

7.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述热塑性树脂包括选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和(甲基)丙烯酸酯类树脂中的一种以上聚合物树脂。

8.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述固化剂包含选自酚醛树脂、胺类固化剂和酸酐类固化剂中的一种以上化合物。

9.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述粘合层包含10至1000重量份的热塑性树脂和10至700重量份的固化剂，基于100重量份的环氧树脂计。

10.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述粘合层可包含选自磷类化合物、硼类化合物、磷-硼类化合物和咪唑类化合物中的一种以上固化催化剂。

11.权利要求5所述的切割晶片粘合膜，其中：

所述粘合层的厚度为1μm至300μm。

12.一种半导体晶圆的切割方法，其包括：

通过对包括权利要求5的切割晶片粘合膜和堆叠在所述切割晶片粘合膜的至少一个表面的晶圆的所述半导体晶圆进行部分预处理，从而使得半导体晶圆被完全切割或可切割；

向已预处理的半导体晶圆的基底膜照射紫外线，并拾取通过半导体晶圆的切割来分离的单个晶片。