[发明专利]栅极驱动电路有效
申请号: | 201480026600.3 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN105191135B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 赤羽正志 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/14;H03K17/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金玉兰,王颖 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 | ||
1.一种栅极驱动电路,其特征在于,具备:
输出晶体管,其向开关元件的栅极供给恒定电流而对该开关元件进行导通驱动;
CMOS结构的前置驱动器,由P沟道MOS-FET和n沟道MOS-FET构成,且接收栅极控制信号而对所述输出晶体管进行导通、关断驱动;
基准电流源,控制恒流用晶体管的栅极电压而使流经该恒流用晶体管的电流恒定;以及
缓冲放大器,将所述恒流用晶体管的栅极电压作为所述前置驱动器的动作基准电压而施加,
所述基准电流源具备求出根据流经所述恒流用晶体管的电流而产生于基准电阻的电压和预先设定的基准电压之间的电压差的误差放大器,且根据该误差放大器的输出对所述恒流用晶体管的栅极电压进行反馈控制,从而使流经该恒流用晶体管的电流恒定。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,
所述基准电阻由能忽略温度依赖性的电阻器构成。
3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,
所述输出晶体管和所述恒流用晶体管均由MOS-FET构成。
4.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,
通过所述缓冲放大器而动作基准电压得到设定的所述前置驱动器在接收所述栅极控制信号以对所述输出晶体管进行导通驱动时,该输出晶体管中有与流经所述恒流用晶体管的电流成比例的电流流通。
5.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,
在并联连接地设置有多个所述输出晶体管时,与这些各输出晶体管分别对应地设置有多个所述前置驱动器。
6.根据权利要求5所述的栅极驱动电路,其中,
所述多个前置驱动器个别地接收栅极控制信号,从而对所述各输出晶体管进行导通、关断驱动。
7.一种栅极驱动电路,其特征在于,
在权利要求1~6中任一项所述的栅极驱动电路中,
还具备电容器,其通过开关元件选择性地保持所述恒流用晶体管的栅极电压,并将保持的所述栅极电压施加到所述缓冲放大器。
8.根据权利要求7所述的栅极驱动电路,其中,
所述开关元件接收向所述前置驱动器输入的所述栅极控制信号,从而在所述输出晶体管进行关断动作时将所述恒流用晶体管的栅极电压保持到电容器。
9.根据权利要求7所述的栅极驱动电路,其中,
所述基准电流源与所述开关元件一起被导通、关断驱动。
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