[发明专利]β-Ga2O3系单晶的培育方法以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法

说明书

在一实施方式中，提供一种β‑Ga₂O₃系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga₂O₃系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga₂O₃系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β‑Ga₂O₃系单晶(25)生长的工序，在使β‑Ga₂O₃系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β‑Ga₂O₃系单晶(25)的扩肩。

技术领域

本发明有关β-Ga₂O₃系单晶的培育方法以及β-Ga₂O₃系单晶基板及其制造方法。

背景技术

以往，已知通过EFG(Edge-defined Film-fed Growth：限边馈膜生长)法使Ga₂O₃单晶生长的方法(例如，参照专利文献1)。根据专利文献1记载的方法，一边从与晶种接触的部分将Ga₂O₃单晶往下方缓慢地增加宽度即扩肩，一边使Ga₂O₃单晶生长，由此能得到宽度比晶种的宽度大的平板状晶体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2006-312571号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1公开的方法中，有在扩肩工序中Ga₂O₃单晶容易双晶化的问题。另外，为了省略扩肩的工序而使用宽度较大的平板状晶种时，有可能产生生长的Ga₂O₃晶体的一部分多晶化、晶体质量降低。

因此，本发明的目的之一在于提供一种能得到晶体质量高的平板状β-Ga₂O₃系单晶的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法。另外，另一目的在于提供一种从通过上述培育方法培育而成的β-Ga₂O₃系单晶来制造β-Ga₂O₃系单晶基板的制造方法。另外，另一目的在于提供一种β-Ga₂O₃系单晶基板的制造方法，是将通过上述培育方法培育而成的β-Ga₂O₃系单晶作为籽晶(晶种)使用而培育新的β-Ga₂O₃系单晶，再将该新的β-Ga₂O₃系单晶加工成基板。另外，另一目的在于提供一种通过这些制造方法制造而成的β-Ga₂O₃系单晶基板。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一方式提供下述[1]～[6]的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法。