[发明专利]β-Ga2O3系单晶的培育方法以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法

权利要求书

1.一种β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，包含：

使平板状的晶种接触Ga₂O₃系熔融液的工序；以及

提拉上述晶种，以不继承附着于上述晶种的垂直于厚度方向的面的上述Ga₂O₃系熔融液的蒸发物的晶体信息的方式使以与(100)面相交的面作为垂直于厚度方向的面的平板状的β-Ga₂O₃系单晶生长的工序，

在使上述β-Ga₂O₃系单晶生长时，仅在厚度方向进行β-Ga₂O₃系单晶的扩肩。

2.根据权利要求1所述的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，

使上述β-Ga₂O₃系单晶在b轴方向生长。

3.根据权利要求2所述的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，

上述平板状的β-Ga₂O₃系单晶的上述与(100)面相交的面是(101)面、(-201)面或(001)面。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，

通过厚度方向的缩颈，以不继承上述蒸发物的晶体信息的方式使上述β-Ga₂O₃系单晶生长。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，

将上述晶种底部附近的上述垂直于厚度方向的面上的上述蒸发物去除后，使上述晶种接触上述Ga₂O₃系熔融液，由此以不继承上述蒸发物的晶体信息的方式使上述β-Ga₂O₃系单晶生长。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的β-Ga₂O₃系单晶的培育方法，

在使上述晶种的上述垂直于厚度方向的面上的上述蒸发物不接触Ga₂O₃系熔融液的情况下，使上述晶种接触Ga₂O₃系熔融液，由此以不继承上述蒸发物的晶体信息的方式使上述β-Ga₂O₃系单晶生长。