[发明专利]透光性基板、有机LED元件、透光性基板的制造方法

权利要求书

1.一种透光性基板，其特征在于，具有：

含有选自Bi、Ti、以及Sn的至少一种元素的玻璃基板，和

形成于该玻璃基板上的被覆层，和

形成于该被覆层上的透明导电膜；

所述被覆层通过干式的成膜方法成膜；

所述被覆层的填充率为85％以上，

所述填充率是通过使用X射线反射率测定器测定所述被覆膜的实测密度，该实测密度除以由所述被覆膜的组成算出的理论密度，将得到的值乘以100倍而算出的值；

所述透明导电膜形成为靠近所述玻璃基板一侧比远离所述玻璃基板一侧的氧化程度高的状态。

2.一种透光性基板，其特征在于，具有：

玻璃基板，和

形成于该玻璃基板上的含有选自Bi、Ti、以及Sn的至少一种元素的散射层，和

形成于该散射层上的被覆层，和

形成于该被覆层上的透明导电膜；

所述被覆层通过干式的成膜方法成膜；

所述被覆层的填充率为85％以上，

所述填充率是通过使用X射线反射率测定器测定所述被覆膜的实测密度，该实测密度除以由所述被覆膜的组成算出的理论密度，将得到的值乘以100倍而算出的值；

所述透明导电膜形成为靠近所述玻璃基板一侧比远离所述玻璃基板一侧的氧化程度高的状态。

3.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述被覆层含有含选自Si、Al、Ti、Nb、Zr、Sn、Ta、W的1种以上元素的氧化物。

4.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述被覆层含有含选自Si、Al、Ti、Nb、Zr、Sn、Ta、W的1种以上元素的氮氧化物。

5.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述被覆层含有含选自Si、Al、Ti、Nb、Zr、Sn、Ta、W的1种以上元素的氮化物。

6.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述透明导电膜从靠近所述玻璃基板一侧向着远离所述玻璃基板一侧，其氧化程度连续或不连续地下降。

7.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述透明导电膜具有2nm～500nm的厚度。

8.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，

所述透明导电膜由至少2层膜构成，具备靠近所述玻璃基板一侧的第一透明导电层和远离所述玻璃基板一侧的第二透明导电层，

所述第一透明导电层形成为氧化程度比所述第二透明导电层高的状态。

9.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述透明导电膜具有低于2.38×10^-4Ωcm的电阻率。

10.如权利要求1或2所述的透光性基板，其特征在于，所述透明导电膜具有0.0086以下的消光系数。

11.一种有机LED元件，它是依次具有玻璃基板、第一电极层、有机发光层、第二电极层的有机LED元件，其特征在于，

具备权利要求1～10中任一项所述的透光性基板。