[发明专利]具有局部加热的测试系统及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480024082.1 申请日: 2014-03-06
公开(公告)号: CN105164544A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: D.L.迪安;R.W.埃利斯;S.哈罗 申请(专利权)人: 智能存储系统股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;F25B21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王景刚;王增强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 局部 加热 测试 系统 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种测试系统的制造的方法,包括∶

提供包括散热器的热管理头部;

将所述散热器放置成与电子器件直接接触;以及

通过改变电流在所述散热器和所述电子器件之间传递能量。

2.如权利要求1所述的方法,进一步包括通过增加或减小所述电子器件的温度来测试所述电子器件。

3.如权利要求1所述的方法,进一步包括以至少每分钟七摄氏度的缓变率加热所述电子器件。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的方法,进一步包括提供传感器,用于将信息传送到与所述散热器和所述电子器件之间的能量传递有关的控制器。

5.如权利要求1-4中的任一项所述的方法,其中提供包括所述散热器的热管理头部包括提供珀耳帖装置。

6.一种测试系统的制造的方法,包括:

提供包括散热器的热管理头部,所述散热器具有突出部;

将所述突出部放置成与电子器件直接接触;以及

通过改变电流在所述突出部和所述电子器件之间传递能量。

7.如权利要求6所述的方法,进一步包括将所述散热器构造成包括超过一个的突出部。

8.如权利要求6-7中的任一项所述的方法,其中将所述突出部放置成与所述电子器件直接接触包括将所述突出部放置成与集成电路、被测器件或插座直接接触。

9.如权利要求6-8中的任一项所述的方法,进一步包括将所述电子器件形成在基底上。

10.如权利要求6-9中的任一项所述的方法,进一步包括通过加热或冷却所述电子器件来测试所述电子器件。

11.一种测试系统,包括:

包括散热器的热管理头部;

与所述散热器直接接触的电子器件;以及

用于在所述散热器和所述电子器件之间传递能量的电流。

12.如权利要求11所述的系统,其中所述热管理头部包括与所述散热器接触的热管理元件。

13.如权利要求11-12中的任一项所述的系统,其中所述散热器包括孔口。

14.如权利要求11-13中的任一项所述的系统,进一步包括传感器,用于将信息传送到与在所述散热器和所述电子器件之间的能量传递有关的控制器。

15.如权利要求11-14中的任一项所述的系统,其中所述电子器件在基底上。

16.如权利要求11-12中的任一项所述的系统,其中所述热管理头部包括具有突出部的散热器,所述突出部与所述电子器件直接接触。

17.如权利要求16所述的系统,其中所述散热器包括超过一个的突出部。

18.如权利要求11-17中的任一项所述的系统,其中所述电子器件包括集成电路,被测器件,或插座。

19.如权利要求11-18中的任一项所述的系统,其中所述热管理头部加热或冷却所述电子器件。

20.如权利要求11-19中的任一项所述的系统,其中所述热管理头部包括珀耳帖装置。

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