[发明专利]弹性波元件用复合基板及弹性波元件有效

专利信息
申请号: 201480016412.2 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN105164919B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 堀裕二;多井知义 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25;H03H9/64
代理公司: 上海市华诚律师事务所31210 代理人: 李晓
地址: 日本国爱知县名*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 弹性 元件 复合
【说明书】:

技术领域

本发明关于效率高、频率的温度特性好的弹性波元件。

背景技术

声表面波(Surface Acoustic Wave)元件被广泛用作手机等通信机器的带通滤波器。伴随手机等的高性能化,利用了声表面波元件的滤波器也要求高性能化。

但是,声表面波元件存在因温度变化而通带移动的问题。特别是目前多被使用的铌酸锂和钽酸锂,机电耦合系数大,对实现宽带的滤波器特性是有利的。但是,铌酸锂和钽酸锂的温度稳定性差。

例如,使用了钽酸锂的声表面波滤波器的频率温度系数为-35ppm/℃,在设想的使用温度范围内的频率变动大。因此,必须降低频率温度系数。

专利文献1(日本专利特开平5-335879)记载的声表面波元件中,是在铌酸锂基板的表面形成梳形电极后,形成覆盖基板表面及梳形电极的氧化硅膜。由此降低频率温度系数。

此外,专利文献2(日本专利特开2009-278610)记载的声表面波元件中,将热膨胀系数更小的硅等构成的支承基板,对于钽酸锂单晶等构成传播基板,通过厚度0.1μm~1.0μm的有机粘合剂层进行粘合,由此成功地降低频率温度系数。

发明内容

专利文献1(日本专利特开平5-335879)记载的元件中,由于是在铌酸锂基板的表面形成氧化硅层而覆盖梳形电极,因此降低频率温度系数的话,氧化硅层会拘束铌酸锂基板,声表面波的传播效率会下降,声表面波滤波器的情况下Q值会恶化。

专利文献2(日本专利特开2009-278610)记载的元件中,虽然可以降低频率温度系数,但是为了使温度系数接近零,必须例如使钽酸锂构成的传播基板的厚度变得非常薄。但是,传播基板变薄的话,接合界面的体(bulk)波的反射会相应变大,容易产生不需要的寄生波。

本发明的课题是降低弹性波元件的频率温度系数。

本发明涉及的弹性波元件用复合基板,具备支承基板以及与支承基板接合、由压电单晶构成、传播弹性波的传播基板,其特征在于,传播基板具有所述压电单晶的晶格畸变的表面晶格畸变层。

此外,本发明涉及的弹性波元件的特征在于,具备所述复合基板以及设置在传播基板上的电极图案。

本发明者在压电单晶构成的传播基板的表面,形成了其晶格畸变的晶格畸变层。即,对传播基板的截面拍摄高分辨率透射型电子显微镜(TEM)像后,TEM像可看出对比度。即,传播基板的表面附近如图5所示,确认到了对比度不同的发黑的薄层。

此种低倍率TEM像中出现的对比度不同的层,是由于晶格缺陷或晶格畸变而产生的。于是,本发明者将高分辨率的TEM像进行快速傅立叶变换(FFT:Fast Fourier Transform),得到了FFT图案(pattern)。结果没有发现由于晶体缺陷而产生的点。因此确认,传播基板的表面出现的对比度不同的薄层,不是由于晶格缺陷而产生的层,而是具有晶格畸变的层。

如此形成的传播基板表面的晶格畸变层,比构成传播基板整体的压电单晶硬,具有抑制温度变化引起的伸缩的效果,可降低频率温度系数。此外,表面晶格畸变层的音速快,显示出对基板表面附近的弹性能量的约束效果。通过该能量约束效果,可期待提升弹性波的传播效率。

附图说明

图1(a)是示意性的显示声表面波元件6的截面图,图1(b)是示意性的显示图1(a)的元件6的俯视图。图1(a)相当于图1(b)的Ia-Ia截面。

图2(a)是示意性的显示其他的声表面波元件10的截面图,图2(b)是示意性的显示图2(a)的元件10的俯视图。图2(a)相当于图2(b)的IIa-IIa截面。

图3(a)、(b)分别是示意性的显示又一其他声表面波元件6A、10A的截面图。

图4显示本发明的传播基板3的示意图。

图5本发明的传播基板的透射型电子显微镜照片。

图6(a)、(b)、(c)是用于说明本发明的元件的制造流程的图。

图7(a)、(b)、(c)是用于说明本发明的元件的制造流程的图。

具体实施方式

(声表面波元件的例子)

图1(a)、图1(b)的声表面波元件6中,支承基板1的接合面1b上介由粘合剂层2接合有传播基板3的接合面3b。1a是支承基板1的底面。在传播基板的表面3a形成输入电极4及输出电极5,得到横向型的声表面波元件6。声表面波从输入电极4向着输出电极5,按箭头7传播,构成声表面波滤波器。

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