[发明专利]适合于在电子器件制造中处理基板的处理系统、设备及方法有效
| 申请号: | 201480016045.6 | 申请日: | 2014-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN105051861B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
| 发明(设计)人: | 史蒂夫·S·洪坎;保罗·B·路透;埃里克·A·恩格尔哈特;加内什·巴拉萨布拉曼尼恩;陈兴隆;胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 适合于 电子器件 制造 处理 系统 设备 方法 | ||
相关申请
本申请主张享有2013年3月15日提交的名称为“PROCESSING SYSTEMS,APPARATUS,AND METHODS ADAPTED TO PROCESS SUBSTRATES IN ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING(适合于在电子器件制造中处理基板的处理系统、设备及方法)”的美国临时申请61/788,825(代理人案号:17989/L)的优先权,在此将该美国临时申请并入本文中以用于所有目的。
技术领域
本发明涉及电子器件制造,且更准确地说,涉及适合于处理基板的处理系统、设备及方法。
背景技术
传统电子器件制造系统可包括多个处理腔室及一个或更多个装载锁定腔室,这些腔室围绕传送腔室。这些系统可使用传送机械手,该传送机械手容纳在传送腔室内,且适合于在各个处理腔室与一个或更多个装载锁定腔室之间传送基板。
为了增加在特定工具内的额外处理能力,在其他实施方式中,可将两个主机区段(mainframe section)链接(link)在一起,且可借助一个或更多个传递通过腔室(pass-through chamber)使基板传递通过于两个主机区段之间。在一些实施方式中,可在两种不同真空水平下操作两个主机区段。可提供工厂接口(factory interface)及操作该工厂接口,以将基板载入及载出一个或更多个装载锁定腔室。
然而,在一些情形中,通过增加第二主机区段而增加的额外处理可能仍不足以用于在特定工具处对基板进行期望的处理。扩大主机区段的大小是以增加底板空间需求作为代价的,这些空间需求不一定总是可获得的。此外,扩大主机的大小可能需要完全重新设计主机主体及甚至需要重新设计传送机械手。因此,需要能够获得更高产量及处理能力的改良处理系统、设备及方法。
发明内容
在第一方面中,提供一种通道传递通过(via pass-through)设备。该通道传递通过设备包括:传递通过腔室,该传递通过腔室适合于耦接在第一主机区段与第二主机区段之间,该传递通过腔室包括入口及出口,该入口及出口每一个都具有狭缝阀;以及通道处理腔室(via processing chamber),该通道处理腔室定位于与传递通过腔室不同的水平(level)处,其中该通道处理腔室适合于对基板实施处理。
根据另一个方面,提供一种电子器件处理系统。该电子器件处理系统包括:第一主机区段,该第一主机区段包括被配置成移动基板的第一机械手;第二主机区段,该第二主机区段包括被配置成移动基板的第二机械手;以及通道传递通过设备,该通道传递通过设备耦接于第一主机区段与第二主机区段之间,该通道传递通过设备包括:第一传递通过腔室,该第一传递通过腔室耦接于第一主机区段与第二主机区段之间,其中借助第一机械手及第二机械手两者可进出(accessible)第一传递通过腔室;以及通道处理腔室,该通道处理腔室适合于对基板实施处理,该通道处理腔室定位于与第一传递通过腔室不同的水平处。
在另一个方面中,提供一种处理基板的方法。该方法包括:提供第一主机区段,该第一主机区段包括第一机械手;提供第二主机区段,该第二主机区段邻接第一主机区段且包括第二机械手;提供通道传递通过设备,该通道传递通过设备耦接第一主机区段及第二主机区段;以及在通道传递通过设备的通道处理腔室内对一个或更多个基板实施处理。
根据本发明的这些及其他方面提供众多其他特征。本发明的其他特征及方面将从以下的具体描述、所附的权利要求书及附图而变得更充分显而易见。
附图简单说明
图1图示根据实施方式的基板处理系统的示意性俯视图,该基板处理系统包括多个主机区段,其中在通道位置处耦接于主机区段之间的通道传递通过设备中提供额外处理能力。
图2图示根据实施方式的第一通道传递通过设备的部分横截面侧视图。
图3图示根据实施方式的替代性通道传递通过设备的横截面侧视图。
图4A图示根据实施方式的提升组件的侧平面视图。
图4B图示根据实施方式的提升组件的一部分的等角视图(isometric view)。
图4C图示根据实施方式的通道传递通过组件的等角视图。
图4D图示根据实施方式的沿图4C的剖面线4D-4D截取的通道传递通过组件的横截面侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





