[发明专利]适合于在电子器件制造中处理基板的处理系统、设备及方法有效
| 申请号: | 201480016045.6 | 申请日: | 2014-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN105051861B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
| 发明(设计)人: | 史蒂夫·S·洪坎;保罗·B·路透;埃里克·A·恩格尔哈特;加内什·巴拉萨布拉曼尼恩;陈兴隆;胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 适合于 电子器件 制造 处理 系统 设备 方法 | ||
1.一种电子器件处理系统,所述电子器件处理系统包括:
第一主机区段,所述第一主机区段包括界定第一传送腔室的第一外壳和耦接至所述第一外壳的一或多个处理腔室,并且包括被配置成移动基板的第一机械手;
第二主机区段,所述第二主机区段包括界定第二传送腔室的第二外壳和耦接至所述第二外壳的一或多个处理腔室,并且包括被配置成移动基板的第二机械手;和
通道传递通过设备,所述通道传递通过设备耦接于所述第一主机区段与所述第二主机区段之间,所述通道传递通过设备提供进出所述第二主机区段的唯一出入口,所述通道传递通过设备包括:
第一传递通过腔室,所述第一传递通过腔室耦接于所述第一主机区段与所述第二主机区段之间,其中借助所述第一机械手及所述第二机械手两者可进出所述第一传递通过腔室;和
通道处理腔室,所述通道处理腔室适合于对基板实施处理,所述通道处理腔室定位于与所述第一传递通过腔室不同的水平处,所述通道处理腔室包括提升组件以提升在所述通道处理腔室内的基板,所述提升组件包括环箍形提升框架、提升致动器和多个指状物,所述提升致动器耦接至所述提升框架并定位于所述提升框架下方,所述多个指状物耦接至所述提升框架的外围并在所述提升框架下方延伸以支撑所述基板;以及
一或多个装载锁定腔室,所述一或多个装载锁定腔室在所述第一主机区段与所述通道传递通过腔室相对的侧面上耦接至所述第一主机区段的所述第一外壳。
2.如权利要求1所述的电子器件处理系统,其中所述通道传递通过设备包括第二传递通过腔室,所述第一传递通过腔室与所述第二传递通过腔室以并行排列方式排列。
3.如权利要求1所述的电子器件处理系统,其中所述通道传递通过设备包括唯一的进入所述通道处理腔室内的单个入口。
4.如权利要求1所述的电子器件处理系统,其中所述通道传递通过设备包括:
第一入口,从所述第一主机区段经由所述第一入口进入所述通道处理腔室内;以及
第二入口,从所述第二主机区段经由所述第二入口进入所述通道处理腔室内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





