[发明专利]减小用于低功率宽带高分辨率DAC的阻抗衰减器的谐波失真的技术有效

专利信息
申请号: 201480013259.8 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN105075125B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: T·宋;S·M·李;D·孔;D·徐 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03M1/06 分类号: H03M1/06;H03F3/45;H03M1/74
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 周敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 减小 用于 功率 宽带 高分辨率 dac 阻抗 衰减器 谐波 失真 技术
【权利要求书】:

1.一种数模转换器(DAC),包括:

多个输入级,其响应于由所述DAC接收到的数字信号而将电流递送给第一和第二电流求和节点;

第一晶体管,其具有耦合至所述第一电流求和节点的第一端子以及耦合至所述DAC的第一输出节点的第二端子;

第二晶体管,其具有耦合至所述第二电流求和节点的第一端子以及耦合至所述DAC的第二输出节点的第二端子;

放大器,其具有耦合至所述第一晶体管的第一端子的第一差分输入端子、耦合至所述第二晶体管的第一端子的第二差分输入端子、耦合至所述第一晶体管的栅极端子的第一差分输出端子、以及耦合至所述第二晶体管的栅极端子的第二差分输出端子,所述放大器被适配成将所述第一和第二电流求和节点中的每一个节点的阻抗维持在由所述放大器的增益定义的范围内。

2.如权利要求1所述的DAC,其特征在于,所述DAC进一步包括:

第一电容器,其耦合在所述第一晶体管的栅极端子与所述第二电流求和节点之间;以及

第二电容器,其耦合在所述第二晶体管的栅极端子与所述第一电流求和节点之间。

3.如权利要求1所述的DAC,其特征在于,所述放大器进一步包括第三输入端子,所述第三输入端子接收被适配成改变所述放大器的共模增益的控制信号。

4.如权利要求3所述的DAC,其特征在于,所述放大器进一步接收定义所述放大器的共模输入电压的参考电压。

5.如权利要求4所述的DAC,其特征在于,所述放大器进一步包括:

差分共源共栅输入级;

差分源极跟随器放大级;

共模反馈环路;以及

频率补偿块。

6.如权利要求5所述的DAC,其特征在于,所述差分共源共栅是折叠式共源共栅。

7.如权利要求5所述的DAC,其特征在于,所述频率补偿块包括多个电容器和电阻器,所述多个电容器和电阻器被适配成补偿所述放大器在差模和共模两者中的频率响应。

8.如权利要求7所述的DAC,其特征在于,所述共模反馈环路被适配成根据所述参考电压来定义所述放大器的所述共模输入电压。

9.如权利要求8所述的DAC,其特征在于,所述共模反馈环路包括第一输入晶体管,所述第一输入晶体管接收所述参考电压并与布置在所述差分共源共栅输入级中的输入晶体管形成差分对。

10.如权利要求9所述的DAC,其特征在于,所述共模反馈环路的所述第一晶体管的沟道宽度对沟道长度比通过所述控制信号来选择以改变所述放大器的谐波失真。

11.如权利要求9所述的DAC,其特征在于,所述放大器进一步包括耦合至所述差分共源共栅输入级和所述共模反馈环路的第一晶体管的第一电流源,其中所述控制信号被进一步适配成改变所述第一电流源的电流以改变所述放大器的谐波失真。

12.如权利要求9所述的DAC,其特征在于,所述控制信号被进一步适配成改变布置在所述共模反馈环路中的第二电流源的电流以改变所述放大器的谐波失真。

13.如权利要求9所述的DAC,其特征在于,所述控制信号被进一步适配成改变所述频率补偿块中的所述电容器中的至少一个电容器的电容。

14.一种数模转换器(DAC),包括:

多个输入级,其响应于由所述DAC接收到的数字信号而将电流递送给第一和第二电流求和节点;以及

第一晶体管,其具有耦合至所述第一电流求和节点的第一端子以及耦合至所述DAC的第一输出节点的第二端子;

第二晶体管,其具有耦合至所述第二电流求和节点的第一端子以及耦合至所述DAC的第二输出节点的第二端子;

第一放大器,其具有耦合至所述第一晶体管的第一端子的第一输入端子、接收参考电压的第二输入端子、以及耦合至所述第一晶体管的栅极端子的输出端子;

第二放大器,其具有耦合至所述第二晶体管的第一端子的第一输入端子、接收所述参考电压的第二输入端子、以及耦合至所述第二晶体管的栅极端子的输出端子;

第一电容器,其耦合在所述第一晶体管的栅极端子与所述第二电流求和节点之间;以及

第二电容器,其耦合在所述第二晶体管的栅极端子与所述第一电流求和节点之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480013259.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top