[发明专利]用于高效热循环的模块化基板加热器有效
申请号: | 201480013023.4 | 申请日: | 2014-02-05 |
公开(公告)号: | CN105074885B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 甘加达尔·希拉瓦特;卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 基板处理腔室 可移动 基板接收表面 基板加热器 基板支撑件 模块化基板 热循环 | ||
本文所述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基板加热器的设备和方法。在一个实施方式中,一种用于基板处理腔室的基板支撑件包括:主体,所述主体具有顶板,所述顶板具有基板接收表面;和可移动的加热器,所述加热器设置于主体中,所述加热器相对于顶板是可移动的。
技术领域
本发明的实施方式大体涉及一种加热器,所述加热器用于支撑在处理腔室中的基板,所述处理腔室用于电子装置制造。更具体地,一种模块化加热器,所述模块化加热器可用于沉积腔室、注入腔室(implant chamber)、蚀刻腔室或退火腔室中,这些腔室用于电子装置制造工艺。
背景技术
在电子装置(诸如半导体装置、发光二极管和类似者)的制造中,基板受到许多热处理,诸如蚀刻、沉积、注入和退火。这些处理中的许多处理要求基板被加热至所需温度,且在特定处理期间维持所述温度。基板加热通常由朝向基板辐射热量的加热装置提供、通过传导将热传送至基板而提供、通过感应将热传送至基板而提供、或者它们的一些组合。在某些热处理中,必须将基板快速加热至所需温度,以确保膜形成的开始或离子迁移(诸如在注入处理中)。在许多热处理期间,遍及基板的表面区域的温度均匀性也是所需的,以在基板上提供均匀的化学或物理反应。
但是,许多传统的基板加热方案具有慢的加热上升时间,以及较差的提供遍及基板的足够的温度均匀性的能力。这导致较长的处理时间,且也会导致不完全的处理,这将严重影响装置产率和产量。另外,许多传统的腔室和相关的加热装置并未被配置成以下述方式使用:能够适用于不同的加热方式(heating regime)而不需要大量的返工(rework)和停工期。
因此,需要用于能够实现基板的均匀加热的改良式基板加热器的设备和方法。
发明内容
本文所述的实施方式涉及一种模块化基板支撑件,所述模块化基板支撑件可用于多种腔室和/或多种电子装置制造工艺中。在一个实施方式中,提供一种用于基板处理腔室的基板支撑件。所述基板支撑件包括:主体,所述主体具有顶板,所述顶板具有基板接收表面;和可移动的加热器,所述加热器设置于主体中,所述加热器相对于顶板是可移动的。
在另一实施方式中,提供一种用于基板处理腔室的基板支撑件。所述基板支撑件包括:主体,所述主体具有基板支撑表面和第一围绕体(enclosure);和加热器,所述加热器设置于第一围绕体中,所述加热器包括第二围绕体,所述第二围绕体与第一围绕体流体连通。
在另一实施方式中,提供一种处理腔室。所述处理腔室包括壳体,所述壳体包括处理容积;和基板支撑件,所述基板支撑件设置于处理容积中。所述基板支撑件包括:主体,所述主体具有基板支撑表面和第一围绕体;和加热器,所述加热器设置于第一围绕体中,其中加热器与基板支撑表面之间的距离为可调整的。
在另一实施方式中,提供一种用于处理基板的方法。所述方法包括:将基板传送至基板支撑件的基板支撑表面,所述基板支撑件具有设置于其主体中的加热器;检测基板的温度;和响应于所检测的温度,相对于主体和基板移动加热器。
在又一实施方式中,提供一种用于基板处理腔室的基板支撑件,所述基板支撑件包括设置于主体中的多个热源。所述主体包括顶板,所述顶板具有基板接收表面。设置于主体中的多个热源被配置成发射光来加热顶板,其中多个热源的一部分被配置成相对于第二热源独立地控制由至少第一热源所发射的光。
附图说明
可通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细理解本发明的上述特征以及以上简要概述的有关本发明更具体的描述。但是,应注意,附图只图示本发明的典型实施方式且因此不被视为限制本发明的范围,因为本发明可允许其它等效的实施方式。
图1为根据本文所述的实施方式的基板支撑件的局部分解等距视图。
图2为图1中所示的基板加热器的一个实施方式的局部侧视截面图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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