[发明专利]接合体的制造方法、及功率模块用基板的制造方法有效
| 申请号： | 201480012947.2 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105190869B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸;长友义幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 制造 方法 功率 模块 用基板 | ||
1.一种接合体的制造方法，该接合体通过接合由陶瓷构成的陶瓷部件和由铜或铜合金构成的铜部件而成，该方法具备：
层叠工序，经由活性金属材料及熔点为710℃以下的填充金属，层叠所述陶瓷部件和所述铜部件；及
加热处理工序，对被层叠的所述陶瓷部件及所述铜部件在层叠方向上以压力1～35kgf/cm2加压的状态下、以560℃以上且650℃以下进行加热处理，
所述填充金属为钎料或者焊料，
所述钎料为选自Cu-P系钎料、Cu-Sn系钎料及Cu-Al系钎料中的任一种，
所述焊料为Cu-P-Sn-Ni系焊料或Cu-Sn系焊料，
所述填充金属不含有Ag。
2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，
在所述层叠工序中，在所述陶瓷部件侧布置所述填充金属，并在所述铜部件侧布置所述活性金属材料。
3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述钎料的液相线温度为450℃以上。
4.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述钎料为所述Cu-P系钎料或所述Cu-Al系钎料。
5.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述焊料的液相线温度低于450℃。
6.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述焊料为所述Cu-P-Sn-Ni系焊料。
7.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述活性金属材料为Ti材料。
8.一种功率模块用基板的制造方法，该功率模块用基板在陶瓷基板的一面形成有由铜或铜合金构成的电路层，其中，
通过权利要求1～7中的任一项所述的接合体的制造方法来接合所述陶瓷基板和所述电路层。
9.一种功率模块用基板的制造方法，该功率模块用基板在陶瓷基板的一面形成有由铜或铜合金构成的电路层，在另一面形成有由铜或铜合金构成的金属层，其中，
通过权利要求1～7中的任一项所述的接合体的制造方法来接合所述陶瓷基板和所述电路层以及接合所述陶瓷基板和所述金属层。
10.一种功率模块用基板的制造方法，该功率模块用基板在陶瓷基板的一面形成有由铜或铜合金构成的电路层，在另一面形成有由铝或铝合金构成的金属层，其中，
通过权利要求1～7中的任一项所述的接合体的制造方法来接合所述陶瓷基板和所述电路层，
将所述电路层接合于所述陶瓷基板的一面之后，将所述金属层接合于所述陶瓷基板的另一面。
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