[发明专利]用于检测和补偿晶体管失配的电路和方法

权利要求书

1.一种用于检测晶体管失配的电路(1)，包括：

-用于生成基准信号(Vin)的信号发生器(4)，以及

-包括至少一对p沟道和n沟道晶体管的放大电路(5)，所述放大电路(5)受到变化因素的影响，所述变化因素还影响位于同一集成电路(10)上的功能电路(3)，所述变化因素致使所述晶体管在它们的驱动强度中具有差异，并且所述放大电路(5)被配置用于接收所述基准信号(Vin)以及用于提供代表所述晶体管的驱动强度中的所述差异的放大信号(Vout)，以及

其中，所述信号发生器(4)被设计成比所述放大电路对所述变化因素更不敏感。

2.如权利要求1所述的用于检测晶体管失配的电路(1)，其特征在于，所述信号发生器(4)被设计用于在存在变化因素的情况下减少所述生成的基准信号(Vin)的电压波动。

3.如前述任一权利要求所述的用于检测晶体管失配的电路(1)，其特征在于，所述信号发生器(4)包括被配置成作为导通且串联连接的两个二极管(4a、4b)工作的组件。

4.如权利要求3所述的用于检测晶体管失配的电路(1)，其特征在于，所述组件的大小被设置成使得所述电压波动被减少到1％。

5.一种集成电路(10)，所述集成电路包括根据前述任一权利要求所述的用于检测晶体管失配的至少一个电路(1)。

6.如权利要求5所述的集成电路(10)，其特征在于，进一步包括被配置用于接收用于检测晶体管失配的所述电路(1)的放大信号(Vout)以及用于生成至少一个偏置电压(V_B,N、V_B,P)的控制电路(2)，所述至少一个偏置电压被施加于所述功能电路(3)中的至少一对p沟道和n沟道晶体管，用于补偿所述晶体管的驱动强度中的差异。

7.如权利要求6所述的集成电路(10)，其特征在于，所述至少一个偏置电压(V_B,N、V_B,P)被进一步施加于所述放大电路(5)中的至少一对p沟道和n沟道晶体管用于补偿所述晶体管的驱动强度中的所述差异，其中所述控制电路(2)被进一步配置用于基于所述放大信号(Vout)中的电压改变检测驱动强度中的所述差异何时被补偿。

8.如权利要求6或7所述的集成电路(10)，其特征在于，所述控制电路(2)包括用于存储所述至少一个偏置电压(V_B,N、V_B,P)的存储器，并且所述控制电路(2)被进一步配置用于选择将所述功能电路(3)的泄漏功耗最小化的至少一个偏置电压(V_B,N、V_B,P)。

9.如权利要求6至7中任一项所述的集成电路(10)，其特征在于，所述控制电路(2)被配置用于生成施加于p沟道晶体管的第一偏置电压(V_B,P)和施加于n沟道晶体管的第二偏置电压(V_B,N)。

10.一种包括如权利要求5至9中任一项所述的集成电路(10)的设备。

11.一种用于检测晶体管失配的方法，所述方法包括：

-生成基准信号(Vin)，以及

-用放大电路(5)放大所述基准信号(Vin)以便提供代表功能电路(3)的驱动强度中的差异的放大信号(Vout)，所述功能电路包括位于集成电路(10)中的至少一对p沟道和n沟道晶体管，所述集成电路(10)受致使所述晶体管具有不同驱动强度的变化因素的影响，以及

其中，所述生成基准信号(Vin)的步骤包括生成比所述放大步骤中所生成的所述放大信号对所述变化因素更不敏感的基准信号(Vin)。