[发明专利]元件制造方法以及元件制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造有机半导体元件等元件的元件制造方法以及元件制造装置。

背景技术

为了防止杂质混入元件中，制造有机半导体元件或者无机半导体元件等元件的工序一般情况下在真空环境下实施。例如，作为用于在基材上形成阴极电极、阳极电极或者半导体层的方法，使用溅射法或者蒸镀法等在真空环境下实施的成膜技术。真空环境是通过使用真空泵等耗费规定的时间对元件制造装置的内部进行脱气而实现的。

但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外还实施各种工序。其中，以往也存在在大气压下实施的工序。另一方面，为了实现真空环境，如上所述需要规定的时间。因此，在元件的制造工序除了包含在真空环境下实施的成膜工序之外还包含在大气压下实施的工序的情况下，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。因此，期望在比大气压低压的环境下实施元件的各制造工序。由此，能够降低得到1个元件所需要的时间及成本。

作为成膜工序以外的工序，能够列举出例如专利文献1所述的那样的去除位于辅助电极上的有机半导体层的去除工序。辅助电极是在设于有机半导体层上的电极为薄膜状的共用电极的情况下，为了对产生于共用电极的电压下降根据位置而不同的情况进行抑制而设置的。即，通过使共用电极与辅助电极在各种位置连接，能够降低共用电极中的电压下降。另一方面，由于有机半导体层一般情况下遍及基材的整个区域而设置，因此为了将共用电极与辅助电极连接，需要实施去除辅助电极上的有机半导体层的上述的去除工序。

作为去除辅助电极上的有机半导体层的方法，公知有对有机半导体层照射激光等光的方法。这种情况下，由于构成有机半导体层的有机半导体材料因磨蚀而飞散，因此优选为了防止因飞散的有机半导体材料造成的污染而通过某些部件覆盖基材。例如在专利文献1中，提案如下方法：首先，在真空环境下将对置基材叠合到基材上来构成叠合基材，接下来，在维持对置基材与基材之间的空间为真空氛围的状态下将叠合基材取出到大气中，此后，对有机半导体层照射激光。这种情况下，能够基于真空氛围与大气之间的压差使对置基材牢固地紧贴到基材上，由此，能够可靠地防止因飞散的有机半导体材料造成的污染。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4340982号公报

发明内容

发明要解决的课题

在如专利文献1所述那样、在大气中实施元件的制造工序的一部分的情况下，如上所述，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。如果考虑这一点，则优选在元件制造装置的内部的真空环境下实施利用压差覆盖基材的工序。但是，在以往，没有提出在真空环境下利用压差来覆盖基材的方法。

本发明是考虑这一点而完成的，其目的在于提供元件制造方法以及元件制造装置，通过在真空环境下利用压差来覆盖基材而能够高效率地制造有机半导体元件等元件。

用于解决课题的手段

本发明提供元件制造方法，用于在基材上形成元件，该元件制造方法具备如下工序：准备包含所述基材以及沿所述基材的法线方向延伸的突起部的中间制品的工序；使用盖材的第1面从所述突起部侧覆盖所述中间制品的工序；以及紧贴工序，对形成于所述盖材的位于所述第1面的相反侧的第2面侧的、从周围密闭的密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而使所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。

所述元件制造方法还可以具备如下的工序：在所述紧贴工序之前，在与所述盖材的所述第2面相接的空间内形成从周围密闭的所述密闭空间。这种情况下，所述密闭空间可以形成于由所述盖材的所述第2面以及配置于所述盖材的所述第2面侧的第1封闭治具所包围的空间内。具体而言，通过以所述盖材与所述第1封闭治具接触的方式使所述盖材向所述第1封闭治具移动，来形成所述密闭空间。

对于所述元件制造方法，所述密闭空间可以形成于由设置为与所述盖材的所述第2面对置的膜以及固定有所述膜的第1封闭治具所包围的空间内。这种情况下，所述密闭空间形成于所述膜的与所述盖材对置的一侧的相反侧，在所述紧贴工序中，可以通过对所述密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而所述密闭空间膨胀而所述膜向所述盖材侧移位，使所述膜推压所述盖材，由此所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。