[发明专利]用于交叉点存储器的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准

说明书

固态存储器的高度分布式电流基准包括位于中心的电流数模转换器（IDAC)和多个位于远处的瓦片式电流基准。IDAC包括生成基准电流的第一有源器件和为第一有源器件形成第一源极负反馈电阻的器件。IDAC输出代表基准电流大小的电压信号。位于远处的瓦片式电流基准包括第二有源器件和为第二有源器件形成第二源极负反馈电阻的器件。耦合至IDAC输出的电压信号的电容和源极负反馈电阻补偿电流、温度、电源和过程变化。

技术领域

本文公开的主题涉及交叉点存储器。更具体地，本文公开的主题涉及用于固态存储器（例如交叉点存储器）的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准。

背景技术

三维（3D）交叉点存储器是固态、非易失性类型的存储器，对于某些存储器操作来说，所述的存储器要求在交叉点存储器芯片周围的许多位置处输送精确的电流。例如，在交叉点存储器芯片的一个示范实施例中，芯片上超过8000个位置要求可以为存储器操作即时输送基准电流的精确的低功率电流基准。将基准电流从中心位置传送到横跨芯片高度分布的多个电流反射镜中的每一个电流反射镜在功率和芯片面积使用因素两者上有严重的缺陷。已经使用的另一种方法是传送在多个位置处被远程转换成基准电流的偏压。这样的方法提出了挑战，因为每个单独的电流基准源必须被校准以消除失配，例如可出现在芯片周围的、由过程偏移引起的随机器件偏移。此外，远程生成的基准电流对偏压噪声、温度变化和电源电压变化是敏感的。

附图说明

用附图中的图通过举例的方式而不是通过限制的方式来说明本文公开的实施例，其中相同的附图标记指相似的元件，并且其中：

图1描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准100的示范实施例的示意图；

图2描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准的第二示范实施例的示意图；

图3描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准的第三示范实施例的示意图；

图4描绘了根据本文公开的主题的用于生成基准电流的过程400 的示范实施例。

将会意识到，为了简化和/或说明的清楚起见，图中描绘的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可以相对于其它元件被放大。图的缩放并不代表本文描绘的各种元件的精确尺寸和/或尺寸比例。此外，如果考虑适当的话，在图当中附图标记已经被重复以表示对应的和/或类似的元件。

具体实施方式

本文公开的主题涉及交叉点存储器。更具体地，本文公开的主题涉及用于交叉点存储器的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准。在下面的描述中，大量具体的细节被阐述以提供对本文公开的实施例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将会认识到没有一个或多个具体的细节或者利用其它方法、部件、材料等等是可以实施本文公开的实施例的。在其它实例中，公知的结构、材料或者操作并未被示出或者详细描述以避免使说明书的若干方面模糊。

整个本说明书提及“一个实施例”或“实施例”意味着与所述实施例有关地描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，在整个本说明书的不同地方出现短语“在一个实施例中”或者“在实施例中”不一定全部指相同实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或者多个实施例中以任何适当的方式进行组合。另外，本文使用词“示范的”来表示“用作示例、实例或者说明”。作为“示范的”在本文中描述的任何实施例将不会被解释为必定比其它实施例优选或有优势。

各种操作可被依次地并以最有助于理解请求保护的主题的方式描述成多个分立的操作。然而，描述的顺序不应当被解释成是暗示这些操作必定是顺序相关的。特别地，不需要以呈现的顺序来执行这些操作。可以按与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。可以执行各种附加的操作和/或可以在附加的实施例中省略所描述的操作。