[发明专利]用于交叉点存储器的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准

权利要求书

1.一种电流基准源，包括：

生成第一电流的电流源；

基于所述第一电流生成第一电压信号的转换器，所述转换器包括：

基于所述第一电流生成第二电流的第一有源器件，所述第一有源器件包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合至所述第二端子，

第一负反馈电阻器件，所述第一负反馈电阻器件包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第一有源器件，并且所述第二端子耦合至第一电源电压，以及

第一缓冲器，所述第一缓冲器包括输入和输出，所述第一缓冲器的所述输入耦合至所述第一有源器件，

所述第一电压信号在所述第一缓冲器的所述输出和所述第一电源的所述第一端子之间形成。

2.如权利要求1所述的电流基准源，其中所述第一负反馈电阻器件包括第二有源器件或者电阻。

3.如权利要求2所述的电流基准源，其中所述第一有源器件和第二有源器件包括金属氧化物（MOS)半导体器件。

4.如权利要求1所述的电流基准源，其中所述电流基准源包括固态驱动器的一部分。

5.如权利要求1所述的电流基准源，还包括至少一个瓦片式（tile）基准电流生成器，所述至少一个瓦片式基准电流生成器耦合至第一电压，所述至少一个瓦片式基准电流生成器被设置得远离所述电流基准源。

6.如权利要求5所述的电流基准源，其中所述至少一个瓦片式基准电流生成器包括：

第三有源器件，所述第三有源器件包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合至所述第一电压信号并且所述第二端子耦合至所述至少一个瓦片式基准电流生成器的第一节点，以及

第二负反馈电阻器件，所述第二负反馈电阻器件包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第三有源器件并且所述第二端子耦合至所述第一电源电压。

7.如权利要求1所述的电流基准源，其中所述第一负反馈电阻包括耦合至第二电压信号的第三端子，

所述电流基准源还包括第二缓冲器，所述第二缓冲器包括输入和输出，所述输入耦合至所述第一负反馈电阻器件。

8.如权利要求7所述的电流基准源，还包括：

第一开关，所述第一开关包括信号输入、信号输出和控制输入，所述信号输入耦合至所述第一缓冲器的所述输出；以及

第二开关，所述第二开关包括信号输入、信号输出和控制输入，所述信号输入耦合至所述第二缓冲器的所述输出，

所述第一和第二开关的所述控制输入耦合至控制信号，并且所述第一和第二开关响应于所述控制信号而分别采样和保持所述第一和第二缓冲器的所述输出。

9.如权利要求8所述的电流基准源，还包括至少一个瓦片式基准电流生成器，所述至少一个瓦片式基准电流生成器耦合至所述第一开关的所述输出和所述第二开关的所述输出，所述至少一个瓦片式基准电流生成器被设置得远离所述电流基准源。

10.如权利要求9所述的电流基准源，还包括：

第一信号线，所述第一信号线耦合在所述第一开关的所述输出和所述至少一个基准电流生成器的第一输入之间；以及

第二信号线，所述第二信号线耦合在所述第二开关的所述输出和所述至少一个基准电流生成器的第二输入之间，

所述第一和第二信号线包括所述第一和第二缓冲器的所述输出之间的电容器。

11.如权利要求10所述的电流基准源，其中所述至少一个瓦片式基准电流生成器包括：

第三有源器件，所述第三有源器件包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合至所述至少一个瓦片式基准电流生成器的所述第一输入，所述第二端子耦合至第一节点，以及

第二负反馈电阻器件，所述第二负反馈电阻器件包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第三有源器件，所述第二端子耦合至所述第一电源电压。