[发明专利]复合基板、半导体装置及半导体装置的制法

说明书

复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

技术领域

本发明涉及复合基板、半导体装置以及半导体装置的制法。

背景技术

作为用于实现半导体集成电路的高速工作和低耗电的方法之一，可以举出使用以SOI技术为代表的复合基板的集成电路技术(例如参考专利文献1)。这种复合基板由支撑基板和功能层(半导体层)构成。通过在这种复合基板的半导体层上使用单晶基板能够使其成为高品质功能层。另一方面，在支撑基板上不只限于单晶，从降低成本的角度出发，也有人提出使用多晶基板。作为这种复合基板的例子，可以举出手机用高频部件中使用的SOI(绝缘衬底上的硅；Si-on-Insulator)晶片或SOS(蓝宝石硅；Si-on-Sapphire)晶片。这些高频装置，随着最近对小型化的需求，装置的低高度化变得特别重要。但是，我们发现当使用这种复合基板时，由于存在不同材料接合的结构，若削薄晶片的厚度，会产生卷曲，以致妨碍装置的制作。因此近年来，在制成半导体层的全部功能后，采用背面研磨工序将支撑基板磨削至期望的厚度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-12547号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，当研磨如蓝宝石类硬材料时，磨石的磨损过大，该问题成为成本增加的主要原因。

本发明旨在解决这样的问题，其主要目的在于在半导体装置的制造过程中去除背面研磨工序。

用于解决问题的方法

本发明为了实现上述主要目的采用了以下的方法。

本发明的复合基板为，

由半导体基板和绝缘性支撑基板粘合而成的复合基板，

上述支撑基板为由相同绝缘材料制作的第1基板和第2基板以用刀片可剥离的强度接合而成，上述半导体基板粘合在上述第1基板中的上述第1基板与上述第2基板的接合面的相反一侧的表面上。

本发明的半导体装置的制法包含：

(a)准备上述复合基板的工序；

(b)在所述复合基板中的所述半导体基板上形成CMOS半导体结构的工序；

(c)用刀片从上述第1基板上剥离除去上述第2基板的工序；

(d)将所述符合基板切成方块获得半导体装置的工序。

本发明的半导体装置通过上述本发明的半导体装置的制法获得。

发明的效果

本发明的复合基板为，以由相同绝缘材料制作的第1基板和第2基板以用刀片可剥离的强度接合而成的基板作为支撑基板。为此，与只使用第1基板作为支撑基板的情况相比，能够使支撑基板增厚。因此，能够减小随温度变化而产生的复合基板的卷曲，也能够提高复合基板的强度。另外，在半导体基板上形成CMOS半导体结构之后，用刀片从第1基板上剥离除去第2基板就能够简单地削薄支撑基板的厚度。为此，与利用背面研磨工序削薄厚的支撑基板的情况相比，成本较低。因此，能够抑制半导体装置制造成本的增加。由于除去的第2基板在制作本发明的复合基板时可以被再利用，从这个角度考虑也能够节约成本。