[发明专利]复合基板、半导体装置及半导体装置的制法

权利要求书

1.一种半导体装置的制法，其包含：

(a)准备复合基板的工序，

所述复合基板由半导体基板和绝缘性的支撑基板粘合而成，所述支撑基板由第1基板和第2基板以用刀片可剥离的强度直接接合而成，第1基板和第2基板由相同的绝缘材料制作而成，所述半导体基板粘合在所述第1基板中的所述第1基板与所述第2基板的接合面的相反一侧的表面上，

所述支撑基板的厚度为200μm～650μm，

所述第1基板以及第2基板的材料为选自于由硅、蓝宝石、氧化铝、氮化硅、氮化铝以及碳化硅构成的组中的一种；

(b)在所述复合基板中的所述半导体基板上形成CMOS半导体结构的工序；

(c)在所述支撑基板的所述第1基板与所述第2基板之间插入刀片，将所述支撑基板的所述第1基板与所述第2基板剥离，从所述第1基板上除去所述第2基板的工序；

(d)除去所述第2基板后，将从所述第1基板上除去分离所述第2基板后的、所述复合基板切成方块获得半导体装置的工序。

2.一种半导体装置的制法，其包含：

(a)准备复合基板的工序，

所述复合基板由半导体基板和绝缘性的支撑基板粘合而成，所述支撑基板由第1基板和第2基板以用刀片可剥离的强度直接接合而成，第1基板和第2基板由相同的绝缘材料制作而成，所述半导体基板粘合在所述第1基板中的所述第1基板与所述第2基板的接合面的相反一侧的表面上，

所述用刀片可剥离的强度是指，所述第1基板以及第2基板的每单位面积的结合能的范围是0.05～0.6J/m²；

(b)在所述复合基板中的所述半导体基板上形成CMOS半导体结构的工序；

(c)在所述支撑基板的所述第1基板与所述第2基板之间插入刀片，将所述支撑基板的所述第1基板与所述第2基板剥离，从所述第1基板上除去所述第2基板的工序；

(d)除去所述第2基板后，将从所述第1基板上除去分离所述第2基板后的、所述复合基板切成方块获得半导体装置的工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制法，所述工序(a)为，以用刀片可剥离的强度接合所述第1基板与所述第2基板来制作所述支撑基板，然后接合所述支撑基板与所述半导体基板的工序。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制法，所述第1基板以及第2基板的材料为选自于由硅、蓝宝石、氧化铝、氮化硅、氮化铝以及碳化硅构成的组中的一种。

5.如权利要求1或4所述的半导体装置的制法，所述第1基板以及第2基板的材料为透光性氧化铝。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制法，所述用刀片可剥离的强度是指，所述第1基板以及第2基板的每单位面积的结合能的范围是0.05～0.6J/m²。

7.一种半导体装置，其通过权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制法制得。