[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201480008388.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN105190899A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，包括：
第一电极；
第一漂移层，所述第一漂移层具有面向所述第一电极并且电连接到所述第一电极的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，具有第一导电类型，并且具有杂质浓度NA；
缓和区，所述缓和区设置在所述第一漂移层的所述第二表面的一部分中，具有距所述第一表面的距离LA，并且具有第二导电类型；
第二漂移层，所述第二漂移层具有与所述第二表面相接触的第三表面和与所述第三表面相反的第四表面，并且具有所述第一导电类型，所述第一漂移层和所述第二漂移层形成漂移区，在所述漂移区中掩埋有所述缓和区，所述第二漂移层具有杂质浓度NB，满足NB＞NA；
体区，所述体区设置在所述第二漂移层的所述第四表面上，并且具有所述第二导电类型；
源区，所述源区设置在所述体区上，所述源区通过所述体区与所述漂移区分开，并且具有所述第一导电类型；
第二电极，所述第二电极电连接到所述源区；
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括在所述体区上的使所述源区和所述第二漂移层相互连接的部分；以及
栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第三表面具有距所述第四表面的距离LB，并且满足LA＞LB。
3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体器件，其中，满足LA＞2·LB。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，满足LA＞5μm。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述缓和区具有剂量DR，并且满足LA·NA＜DR。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中
设置沟槽使其具有通过所述源区和所述体区延伸到所述第二漂移层中并且与所述第一漂移层分开的侧壁表面，并且
所述栅电极布置在所述侧壁表面上，所述栅极绝缘膜插入在所述栅电极和所述侧壁表面之间。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中
设置平坦表面使其具有由所述源区、所述体区和所述第二漂移层中的每一个构成的部分，并且与所述第二漂移层的所述第四表面平行，并且
所述栅电极布置在所述平坦表面上，所述栅极绝缘膜插入在所述栅电极和所述平坦表面之间。
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