[发明专利]减少的不可校正的存储器错误

说明书

背景技术

本主题涉及半导体存储器，并且更具体地涉及通过组织错误校正代码字减少半导体存储器中的不可校正的存储器错误。

许多类型的半导体存储器是已知的。某种存储器是易失性的并且如果移除电力则将丢失其内容。某种存储器是非易失性的并且在已经移除电力之后将保留存储在存储器中的信息。一种类型的非易失性存储器是闪速存储器，其在存储器单元的电荷存储区中存储电荷。一些闪速存储器单元每单元存储信息的单个位，但是对于闪速存储器单元而言变得越来越常见的是通过将单元的阈值电压设置成存储信息的n位的2ⁿ级中的一个来存储信息的多于一个位。

另一类型的存储器是相变存储器（PCM）。PCM利用具有非导电非晶态和导电晶态的相变材料。可以将PCM单元置于一个状态或另一个以指示所存储的值。通过跨PCM单元提供电势，PCM单元的状态可以通过测量流过PCM单元的电流来确定。PCM单元具有比关断电流高得多的接通电流。

一些存储器技术被组织成交叉点阵列，其中存储器单元的阵列密集堆积并且单独耦合到唯一一对控制线。单独的存储器单元耦合到在一个方向上取向的一条行线（诸如字线）和在垂直方向上取向的一条列线（诸如位线）。一些存储器可以组织为交叉点阵列的阵列，其中各个交叉点阵列非常紧密地堆积但是可以包括各个交叉点阵列之间的某种电路。

一些存储器技术可以足够可靠使得对于许多应用而言没有错误校正是必要的。在其它技术中，单独的存储器单元的可靠性可能足够低使得存储器的应用可能包括冗余存储器单元并且错误校正和/或检测信息可以存储在冗余存储器单元中。一种常见形式的存储器错误校正是汉明（Hamming）码，其中包括允许校正代码字中的任何单个位错误的奇偶校验位的集合。汉明码要求n+1个奇偶校验位来保护2ⁿ位，因此6位可以用于保护32位数据字。许多其它类型的错误校正码是公知的，包括但不限于，里德所罗门（Reed-Solomon）码和博斯乔赫里霍克文黑姆（BCH）码。取决于数据的页或代码字的大小、包括的错误校正码的数目和所选代码的类型，一个或多个错误可以是可校正的或者在代码字内被简单地检测。

附图说明

合并在说明书中并且构成说明书的部分的附图图示了各种实施例。连同一般描述一起，附图用于解释各种原理。在图中：

图1示出变换地址以减少存储器中的不可校正的错误的实施例的框图；

图2示出跨存储器阵列的阵列的代码字的位的分布的实施例的图；

图3示出跨存储器阵列的阵列的代码字的位的分布的可替换实施例的图；

图4是被组织以减少存储器中的不可校正的错误的电子系统的实施例的框图；

图5是减少存储器中的不可校正的错误的方法的实施例的流程图；

图6是减少存储器中的不可校正的错误的方法的可替换实施例的流程图；以及

图7A和7B是被组织以减少存储器中的不可校正的错误的存储器的实施例的框图。

具体实施方式

在以下详细描述中，通过示例的方式阐述大量具体细节以便提供相关教导的透彻理解。然而，对本领域技术人员应当显而易见的是，本教导可以在没有这样的细节的情况下实践。在其它实例中，公知的方法、过程和组件已经以相对高层级描述而没有细节，以便避免不必要地使本概念的各方面晦涩难懂。在描述本公开的各种实施例中使用许多描述性术语和短语。这些描述性术语和短语用于向本领域技术人员传达一般意见一致的含义，除非在本说明书中给出不同的定义。现在对附图中图示和以下论述的示例做出详细参考。