[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及这样一种基板处理装置，在该基板处理装置中，容易冷却安装在用于执行与基板有关的处理的处理腔室内的加热器以及处理腔室的内部温度。

背景技术

用于制造半导体、平板显示器、光伏电池等的基板处理装置可以是执行基本热处理过程的装置，该装置用于使在诸如硅片或玻璃基板的基板上沉积的预定薄膜结晶以及转变相位。

一般来说，在制造液晶显示器或薄膜结晶硅光伏电池的情况下，有硅结晶装置用于将玻璃基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅。为了执行结晶处理，必须加热其上形成有预定薄膜的基板。例如，将非晶硅结晶的处理温度必须是约550℃至约600℃。

这种基板处理装置可分为在一个基板上执行基板处理过程的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行基板处理过程的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。

发明内容

技术问题

本发明提供了一种基板处理装置，在该基板处理装置中容易冷却用于加热基板的加热器以及处理腔室的内部温度。

参阅如下的详细说明以及附图将可了解本发明的其它目的。

技术方案

本发明的实施方式提供了基板处理装置，该基板处理装置包括：具有内部空间的处理腔室，在所述内部空间中容纳有从外部传送来的基板并且执行与所述基板相关的处理；以及管式加热器，该管式加热器布置在所述处理腔室的侧壁中并围绕所述内部空间，所述管式加热器具有通道，从外部供应的制冷剂流动通过所述通道。

在一些实施方式中，所述处理腔室可以包括：入口端口，该入口端口布置在所述处理腔室的一侧上以允许放入所述管式加热器；以及出口端口，该出口端口布置在所述处理腔室的另一侧上以允许取出所述管式加热器，其中所述基板处理装置可以进一步包括：供应管线，该供应管线连接至布置在所述入口端口上的所述管式加热器，以供应制冷剂；以及排放管线，该排放管线连接至布置在所述出口端口上的所述管式加热器，以排放所述管式加热器内的制冷剂。

在其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括：绝缘连接部，该绝缘连接部将所述管式加热器连接至每个所述供应管线和所述排放管线；电源，该电源布置在所述处理腔室与所述绝缘连接部之间，以将电流供应给所述管式加热器；以及阀，该阀布置在所述供应管线或所述排放管线中，以调整制冷剂的流速。

在又一些其它实施方式中，所述入口端口可以布置在所述出口端口的上方，并且所述基板处理装置可以进一步包括制冷剂供应装置，该制冷剂供应装置连接至所述供应管线和所述排放管线，以将通过所述排放管线排放的制冷剂冷却，从而将已冷却的制冷剂供应至所述供应管线。

在另一些其它实施方式中，所述处理腔室可以包括：入口端口，该入口端口布置在所述处理腔室的一侧上以允许放入所述管式加热器；以及出口端口，该出口端口布置在所述处理腔室的另一侧上以允许取出所述管式加热器，其中所述基板处理装置可以进一步包括：供应管线，该供应管线连接至布置在所述入口端口上的所述管式加热器，以供应制冷剂；以及内部反应管，该内部反应管布置在所述内部空间中以将所述内部空间分隔成内侧和外侧，所述内部反应管具有处理空间，在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理，其中所述管式加热器可以具有多个喷射孔，用于朝向所述内部反应管的外侧喷射制冷剂。

在又一些其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括排气端口，该排气端口与限定在所述处理腔室的上部中的排气孔连通，以排放通过所述喷射孔喷射至所述外侧的制冷剂。

在又一些实施方式中，每个所述喷射孔均向上倾斜地布置。

在再一些实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括：排放管线，该排放管线连接至布置在所述出口端口上的所述管式加热器，以排放所述管式加热器内的制冷剂；以及泵，该泵布置在所述排放管线上以强制排放制冷剂。

有益效果

根据本发明的实施方式，可以容易地冷却升高至预设温度的处理腔室的温度。

附图说明

图1是根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图；

图2是其中基板保持件被切换至图1中的处理位置的图；

图3是根据本发明的另一实施方式的基板处理装置的图；

图4是根据本发明的另一实施方式的基板处理装置的图；

图5的(a)、(b)和(c)是示出了图3和图4的喷射孔的布置的图；以及