[发明专利]使用动态验证电平对选择栅极晶体管和存储器单元进行编程

权利要求书

1.一种用于对存储器设备中的晶体管进行编程的方法，包括：

进行多个编程验证迭代(PV1至PV15)中的每个编程验证迭代，所述多个编程验证迭代包括针对在编程操作中待被编程的晶体管(211至219，230，240，250)的集合的编程验证迭代，每个晶体管最初具有指示所述晶体管待被编程的编程状态，进行每个编程验证迭代包括：向所述晶体管的集合施加编程脉冲(PP1至PP15)，确定具有所述编程状态的所述晶体管中的至少一些晶体管的阈值电压是否超过锁定验证电压(Vva_lo，Vvb_lo，Vvc_lo)，以及针对其阈值电压被确定为超过所述锁定验证电压的晶体管中的每个晶体管，在所述编程操作的剩余部分中将所述编程状态改变成锁定状态，在针对所述晶体管的集合的所述编程验证迭代中的数个编程验证迭代(PV4至PV7，PV7至PV10，PV10至PV13)中，所述锁定验证电压被阶跃式升高。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

在针对所述晶体管的集合的所述编程验证迭代中的在所述数个编程验证迭代之前的一个或更多个初始编程验证迭代中，所述锁定验证电压处于与所述编程状态对应的固定初始电平(Vva_init，Vvb_init，Vvc_init)。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述一个或更多个初始编程验证迭代之后，在所述编程操作的预定编程验证迭代处开始所述数个编程验证迭代。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述编程操作期间基于所述晶体管的集合的编程进度来自适应地确定何时开始所述数个编程验证迭代。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

确定所述晶体管的集合的固有阈值电压分布；以及

当所述固有阈值电压分布相对较宽时将固定初始电平设定为相对较低，以及当所述固有阈值电压分布相对较窄时将所述固定初始电平设定为相对较高。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在所述锁定验证电压被阶跃式升高到最大容许电平时，终结所述数个编程验证迭代并且开始针对所述晶体管的集合的所述编程验证迭代中的一个或更多个最终编程验证迭代(PV8，PV11，PV14和PV15)，

在所述一个或更多个最终编程验证迭代中，所述锁定验证电压处于所述最大容许电平(Vva_mx，Vvb_mx，Vvc_mx)。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

所述数个编程验证迭代是连续的编程验证迭代。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在针对所述晶体管的集合的所述编程验证迭代中的每个编程验证迭代的所述编程脉冲期间，针对具有所述锁定状态的晶体管将相应的漏极电压(Vbl)设定为处于锁定电平(Vdd)，并且针对具有所述编程状态的晶体管将相应的漏极电压设定为处于编程电平(0V或Vqpw)。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

对于所述晶体管中的至少一些晶体管，在将所述编程状态改变成所述锁定状态之后阈值电压增大，从而使所述晶体管的集合中的快速编程晶体管的阈值电压更接近所述晶体管的集合中的慢速编程晶体管的阈值电压。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

在所述数个编程验证迭代中的每个编程验证迭代中，所述锁定验证电压使用固定的步长来阶跃式升高。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，

在所述数个编程验证迭代中的每个编程验证迭代中，所述锁定验证电压以逐步更小的步长来阶跃式升高。