[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号: | 201480004441.7 | 申请日: | 2014-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN104919592B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | 畑野启介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
一种固体摄像器件,其包括:第一构件,它包括光电转换部;以及第二构件,它包括具有凹面部的反射板,所述第二构件被接合至所述第一构件的与光入射面相背的表面,且所述反射板的所述凹面部面向所述光电转换部。
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年4月4日提交的日本优先权专利申请JP2013-078831的优先权权益,且将该优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及固体摄像器件、该固体摄像器件的制造方法和包括该固体摄像器件的电子装置,该固体摄像器件包括位于光电转换部的与光入射面相背的一侧的反射板。
背景技术
例如,专利文献PTL 1中描述了包括位于光电转换部的与光入射面相背的一侧的反射板的固体摄像器件。该反射板被构造成反射已经透过硅基板的光,且使得该光再次射入所述光电转换部,从而提高感光度。
引用文献列表
专利文献
[PTL 1]日本未经审查的专利申请公开第2008-147333号
[PTL 2]日本未经审查的专利申请公开第2011-91128号
发明内容
要解决的技术问题
然而,因为在PTL 1中所使用的是平坦的反射板,所以难以有效地将已经透过所述硅基板的光反射到所述光电转换部。此外,在倾斜入射的光已经透过所述硅基板的情况下,被所述反射板反射的光会射入相邻像素,从而造成诸如相邻像素间的串扰的发生等问题。
因此,在PTL 2中,曾提出了反射板具有弧状的凹面截面形状。然而,难以执行蚀刻控制,由此造成了芯片或晶片中的反射板的形状均一性较低的问题。
期望的是,提供包括如下的凹面状反射板的固体摄像器件及该固体摄像器件的制造方法:所述凹面状反射板具有较高的形状均一性且能够利用简单工艺而被制备出来。
解决技术问题所采取的技术方案
根据本发明的实施例,提供了一种固体摄像器件,其包括:第一构件,所述第一构件包括光电转换部;以及第二构件,所述第二构件包括具有凹面部的反射板,所述第二构件被接合至所述第一构件的与光入射面相背的表面,且所述反射板的所述凹面部面向所述光电转换部。
在根据本发明实施例的固体摄像器件中,包括具有所述凹面部的所述反射板的所述第二构件被接合至所述第一构件的与所述光入射面相背的所述表面,因此,已经透过所述光电转换部的光被所述反射板的所述凹面部反射,从而再次射入所述光电转换部,由此降低了对相邻像素的串扰。
根据本发明的实施例,提供了一种固体摄像器件制造方法,所述方法包括:在第一半导体基板上形成光电转换部,以形成第一构件;在第二半导体基板上形成具有凹面部的反射板,以形成第二构件;以及将所述第二构件接合至所述第一构件的与光入射面相背的表面,且使所述反射板的所述凹面部面向所述光电转换部。
根据本发明的实施例,提供了一种设置有固体摄像器件的电子装置,所述固体摄像器件包括:第一构件,所述第一构件包括光电转换部;以及第二构件,所述第二构件包括具有凹面部的反射板,所述第二构件被接合至所述第一构件的与光入射面相背的表面,且所述反射板的所述凹面部面向所述光电转换部。
在根据本发明实施例的固体摄像器件、根据本发明实施例的固体摄像器件制造方法或根据本发明实施例的电子装置中,包括所述光电转换部的所述第一构件和包括具有所述凹面部的所述反射板的所述第二构件被接合在一起。因此,就使得能够利用不会涉及困难的蚀刻控制的简单工艺而形成包括具有所述凹面部的所述反射板的所述第二构件,且使得能够提高所述反射板的形状均一性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





