[发明专利]使用多个晶片锯旋转角度进行硅晶片锯割的非常规方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于分离硅晶片中的多个裸片的锯割硅晶片的方法，且特定来说涉及锯割硅晶片使得每一裸片拐角具有大于90度的角度。

背景技术

硅晶片锯割为切割晶片使得从其分离多个集成电路裸片的过程。刻划线或锯割道为裸片之间的其中锯通过以分离多个裸片的区域。当前，以零(0)度及90度执行对晶片的锯割，从而形成具有四个边及90度拐角的正方形或矩形裸片。然而，某些应用需要具有角度大于90度的拐角的裸片。

发明内容

因此，需要一种从硅晶片分离多个裸片使得所述经分离裸片具有角度大于90度的拐角的方式。

根据实施例，一种用于从硅晶片分离多个集成电路裸片的方法可包括以下步骤：将晶片切割工具设置为第一切割角度，其中所述第一切割角度可与零度参考成实质上90度；用所述晶片切割工具以所述第一切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第二切割角度，其中所述第二切割角度可与所述零度参考成小于90度；用所述晶片切割工具以所述第二切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第三切割角度，其中所述第三切割角度可与所述零度参考成大于90度；及用所述晶片切割工具以所述第三切割角度切割所述硅晶片；其中可从所述硅晶片分离多个集成电路裸片，且所述多个集成电路裸片中的每一者具有拐角大于90度的六个边。

根据所述方法的又一实施例，可用安装胶带将所述硅晶片安装到晶片座架，所述安装胶带用于在用所述晶片切割工具切割所述硅晶片期间固持所述硅晶片。根据所述方法的又一实施例，所述多个集成电路裸片中的每一者的钝化在切割所述硅晶片的所述步骤之后保持密封。

根据所述方法的又一实施例，以所述第一切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第一边；及以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第二边。根据所述方法的又一实施例，以所述第二切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第三边；及以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第四边。根据所述方法的又一实施例，以所述第三切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第五边；及以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第六边。

根据另一实施例，一种用于从硅晶片分离多个集成电路裸片的方法可包括以下步骤：将晶片切割工具设置为第一切割角度，其中所述第一切割角度可与零度参考成实质上90度；用所述晶片切割工具以所述第一切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第二切割角度，其中所述第二切割角度可与所述零度参考成小于90度；用所述晶片切割工具以所述第二切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第三切割角度，其中所述第三切割角度可与所述零度参考成大于90度；用所述晶片切割工具以所述第三切割角度切割所述硅晶片；将所述晶片切割工具设置为第四切割角度，其中所述第四切割角度可实质上处于所述零度参考；及用所述晶片切割工具以所述第四切割角度切割所述硅晶片；其中可从所述硅晶片分离多个集成电路裸片，且所述多个集成电路裸片中的每一者具有拐角大于90度的八个边。

根据所述方法的又一实施例，可用安装胶带将所述硅晶片安装到晶片座架，所述安装胶带用于在用所述晶片切割工具切割所述硅晶片期间固持所述硅晶片。根据所述方法的又一实施例，所述多个集成电路裸片中的每一者的钝化在切割所述硅晶片的所述步骤之后保持密封。

根据所述方法的又一实施例，以所述第一切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第一边；及以所述第一切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第二边。根据所述方法的又一实施例，以所述第二切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第三边；及以所述第二切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第四边。

根据所述方法的又一实施例，以所述第三切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第五边；及以所述第三切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第六边。根据所述方法的又一实施例，以所述第四切割角度切割所述硅晶片的所述步骤包括以下步骤：以所述第四切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第七边；及以所述第四切割角度切割所述多个集成电路裸片中的每一者的第八边。

附图说明