[实用新型]天线功率增益合成网络

说明书

技术领域：

本实用新型与天线功率增益合成装置有关。

背景技术：

目前功率增益合成装置都是固定的几路合成方式，如果需要直通或合成可选、2路或2路以上合成或直通可选的方法时，常规的合成方装置的输入或输出加大量的开关和吸收负载，由于开关的加入造成合成损耗大，体积庞大、控制复杂。

一般的合成网络要实现合成或直通可选，必须增加大量的开关及负载电阻，控制非常复杂。由于传输路径上大量的开关，使损耗变大，合成效率低，成本增加。

实用新型内容：

本实用新型的目的是提供一种直通或合成可选，合成路数可选，控制简单，体积小，成本低的天线功率增益合成网络。

    本实用新型是这样实现的：

若干放大器的输出分别依次经纵向微带、电容、1PIN二极管与天线连接，两横向微带分别与纵向微带连接，两放大器的输出之间有纵向微带一端接地，另一端依次经电容、PIN二极管接天线。

第1放大器1的输出经第1纵向微带、第1电容、第1PIN二极管VD1与第1天线连接，第2放大器2的输出经第2纵向微带、第2电容、第2PIN二极管VD3与第2天线连接，两横向微带分别与第1、2、3纵向微带连接，第3纵向微带一端接地，另一端经第3电容、第3PIN二极管VD2接第3天线。

微带的工作带宽为λ/4。

本实用新型将开关和电桥巧妙的结合在一起，合二为一，电路控制简单，插入损耗小。可以使直通或合成可选，合成路数可选，体积小，效率高。

附图说明：

图1为本实用新型的原理框图。

具体实施方式：

第1放大器1的输出经第1纵向微带、第1电容、第1PIN二极管VD1与第1天线连接，第2放大器2的输出经第2纵向微带、第2电容、第2PIN二极管VD3与第2天线连接，两横向微带分别与第1、2、3纵向微带连接，第3纵向微带一端接地，另一端经第3电容、第3PIN二极管VD2接第3天线。微带的工作带宽为λ/4。

微带天线功率增益合成网络仅三个开关电路，发射链路上没有任何多余的阻容器件，结构简单，控制便捷，损耗小，成本低。

图1实施的电路控制流程：直通时VD1控制逻辑置高，VD2、VD3开关控制置低，两路天线同时发射；VD1控制逻辑置低，VD2控制逻辑置高，VD3开关控制置低，2号天线发射；VD1控制逻辑置低，VD2控制逻辑置低，VD3开关控制置高，1号天线发射。2路合成效率80%（加开关损耗）。

VD1、VD2 、VD3是PIN二极管，型号的选择需要根据放大器的功率大小，转换的速度来实际选择。图1中放大器的功率为峰值300W，转换速度为小于1μs,所以选择MA4P504。

由于微带的参数与频率相关，并联开关的参数也与频率相关，所以使用时要注意微带电桥的工作带宽。