[实用新型]一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统有效
申请号: | 201420790611.6 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN204230280U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 陈波;崔红星;张文锋;胡应全;林海峰 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;C30B33/10 |
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地址: | 315609 浙江省宁波市宁海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 调节 硅片 制绒槽内减薄量 均匀 系统 | ||
技术领域
本实用新型属于晶体硅太阳能电池制造领域,尤其是一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统。
背景技术
随着太阳能电池生产技术的不断提升,对于太阳能电池产品的质量以及成本提出了新的要求。制绒工艺是太阳能电池整个工艺生产线中最为重要的一环,其目的是为了去除切割后硅片的表面损伤层,同时通过化学腐蚀的方法在硅片表面进行织构化处理,形成良好的陷光效应,从而降低硅片表面反射率,提高短路电流,最终提高电池的光电转换效率。目前,对于链式多晶硅的制绒一般都是利用硝酸的强氧化性与氢氟酸的络合性,对硅片进行氧化和络合剥离,导致硅片表面发生各向同性非均匀性腐蚀,形成蜂窝状绒面,从而增加入射光的反射次数,有效增强了入射太阳光的利用率,提高了光生电流密度。目前,链式多晶硅的制绒设备主要采用多个反应道同时进行的制绒槽,其缺点在于:由于硝酸、氢氟酸与硅片反应时放出大量热量,导致制绒槽中心的反应道温度高于其他区域,而硅片与酸的反应速率与温度成正比关系,温度分布不均匀会造成各反应道减薄量的不均匀,不均匀减薄会造成不同的比表面积,PE端相同的沉积速率下,不同的比表面积生产不一致的膜厚,最终造成颜色分布离散,影响成品率。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统,使硅片在正常制绒过程中,各个反应道内的温度分布均匀,确保各个反应道内的硅片减薄量的均匀性,提高硅片成品率。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种用于调节硅片制绒槽内减薄量均匀性的系统,包括制绒槽,所述制绒槽内设有反应道,所述反应道内由上往下依次设有位于制绒槽内药液液位下方的压轮与滚轮,硅片在滚轮和压轮之间移动并进行制绒;还包括一储液槽,所述储液槽通过一输液管将储液槽内的药液输送到所述制绒槽内,位于所述制绒槽内的输液管上设有若干第一喷孔,所述制绒槽通过溢流管以及回流管将所述制绒槽内的药液输送到储液槽内,所述储液槽内的药液通过热交换毛细管与一冰机形成热交换,所述反应道至少有三个,位于制绒槽两端的反应道之间的其他每条反应道上各设有一喷淋装置。
喷淋装置的一种设置方式,所述喷淋装置包括与所述储液槽相连通的喷淋管道,位于反应道上方的喷淋管道上设有若干第二喷孔,所述第二喷孔位于所述制绒槽内的药液液位上方。
进一步,控制喷淋装置中低温药液的流量,所述喷淋管道上还设有第一调节阀。
进一步,所述喷淋管道通过第一泵浦与所述储液槽相连接,第一泵浦为喷淋管道提供所述储液槽内的低温药液提供动力。
进一步,所述输液管上设有第二泵浦,所述第二泵浦为输液管提供所述储液槽内的低温药液提供动力。
进一步,所述输液管上的若干第一喷孔位于所述滚轮下方。
进一步,所述热交换毛细管位于所述储液槽内的药液液位下方,热交换效率高。
进一步,所述输液管上设有第二调节阀,用于调节通过输液管喷射的药液喷射流量。
储液槽内的药液通过热交换毛细管与冰机形成热交换,降低储液槽内的药液温度从而形成低温药液,硅片与酸在反应过程中,释放出大量热量,提高了制绒槽药液的温度从而形成高温药液,为了使制绒槽的各个反应道的温度均匀,通过输液管以及喷淋管道将储液槽内的低温药液喷射到反应道上,由于输液管位于滚轮下方,喷淋管道位于制绒槽的药液液位上方,可以有效的降低中间的每条反应道的温度,使制绒槽的温度更均匀。
本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:1、通过喷淋管道与输液管的喷射低温药液,有利于降低制绒槽内中间的反应道的温度,从而使制绒槽内的温度均匀,使在制绒槽内进行制绒过程中的硅片减薄量均匀,颜色分布均匀,成品率高;2、整个系统简单,操作方便,成本低;3、在系统内安装有第一调节阀与第二调节阀,流量的控制更加可靠,成品率更佳。
附图说明
图1是实施例1中系统的结构侧视图。
图2是实施例1中系统的俯视图。
图3是实施例2中系统的俯视图。
图4是实施例3中系统的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例1:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的