[实用新型]一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机有效
申请号: | 201420781346.5 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN204332910U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 孙超;罗建忠;曾志华;李京俊;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 彭英 |
地址: | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生长 金属 晶圆片 贴片机 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机,属于半导体封装技术领域。
背景技术
随着半导体技术的发展,wafer(晶圆片)有向越来越薄的方向发展的趋势。与传统的表面平坦的wafer(晶圆片)不同,用于加工成flip-chip(倒装芯片)的生长有金属凸块的晶圆片100的表面制作有凸起的金属凸块 110(凸块或焊球、焊块),但其边缘3mm范围内没有金属凸块110,这就形成了一个空缺,如图1所示。贴片时滚轮的压力施加于生长有金属凸块的晶圆片100的边缘的瞬间,由于该空缺的存在,容易造成生长有金属凸块的晶圆片100的边缘因形变量过大而出现隐裂、碎片等问题,为后续工艺留下隐患。
发明内容
承上所示,本实用新型的目的在于克服上述贴片机的不足,提供一种可以避免生长有金属凸块的晶圆片的边缘产生碎片、隐裂等问题的贴片机。
本实用新型的目的是这样实现的:
本实用新型一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机,其包括:
贴片底盘,其承载待贴片的生长有金属凸块的晶圆片,所述生长有金属凸块的晶圆片及其金属凸块的厚度为H;
晶圆片片环平台,环绕贴片底盘安装,且与贴片底盘存在间隙,该间隙宽度为L;
晶圆片片环,临时固定于晶圆片片环平台的上方;
围坝,呈环状,设置于贴片底盘 与晶圆片片环平台之间,其与贴片底盘的间隙为l,其顶部宽度为d<L-l,其顶部与贴片底盘的顶部的高度差为h,h的范围为:0≤H-h≤50微米,所述围坝通过固定装置与贴片底盘连接,固定装置的纵截面呈面向贴片底盘的L状,其上端与所述围坝连接,其下端面向贴片底盘侧与贴片底盘连接。
所述固定装置为非连续的扇状块体,且至少三个。
所述固定装置为非连续的杆状,且至少三个。
所述固定装置与贴片底盘为一体结构或者所述围坝与固定装置为一体结构。
所述围坝的顶部与贴片底盘的顶部的高度差h为200~230微米。
所述围坝与贴片底盘的间隙l为3~5 mm。
所述围坝的宽度d为2~3mm。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过设计贴片底盘和晶圆片片环平台,并在贴片底盘与晶圆片片环平台之间增加一围坝,使在贴片过程中减轻了贴片滚轮对生长有金属凸块的晶圆片的边缘压力,减小了生长有金属凸块的晶圆片的形变量,使生长有金属凸块的晶圆片有效地避免了碎片、隐裂等问题;同时,围坝的高度无需频繁调节,通过理论计算,使围坝高度可以通用,以方便实际操作,提高生产效率。
附图说明
图1 为现有的贴片机的示意图;
图2 为本实用新型一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机实施例的剖面示意图;
图3为图2 的贴片底盘、围坝、固定装置和晶圆片片环平台的相对位置的示意图一;
图4为图2的贴片底盘、围坝、固定装置和晶圆片片环平台的相对位置的示意图二;
图5为图2的贴片底盘、围坝、固定装置和晶圆片片环平台的相对位置的示意图三;
图6为本实用新型一种用于生长有金属凸块的晶圆片的贴片机的使用状态示意图;
其中:
生长有金属凸块的晶圆片100
金属凸块110
贴片底盘200
围坝210
固定装置220
晶圆片片环400
晶圆片片环平台500
贴片滚轮600。
具体实施方式
生长有金属凸块的晶圆片 100产品结构:生长有金属凸块的晶圆片 100的直径一般在3英寸~12英寸,生长有金属凸块的晶圆片 100的厚度一般在100~250微米,因此与传统wafer相比,生长有金属凸块的晶圆片 100很薄,易碎。金属凸块110设置于生长有金属凸块的晶圆片 100的金属凸块面111,金属凸块110高度一般在130~230微米。
现在将在下文中参照附图更加充分地描述本实用新型,在附图中示出了本实用新型的示例性实施例,从而本公开将本实用新型的范围充分地传达给本领域的技术人员。然而,本实用新型可以以许多不同的形式实现,并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造