[实用新型]覆晶式发光二极管的电路结构

权利要求书

1.一种覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述电路结构用以供至少一覆晶式发光二极管组装，每一覆晶式发光二极管具有至少两电极，所述电路结构于一基板的表面定义出一光发射面，且所述光发射面上具有复数个反射导接面，而所述反射导接面用以供所述覆晶式发光二极管的电极组接，使所述覆晶式发光二极管于所述光发射面上形成串联、并联或串并联，其中所述反射导接面的总面积占所述光发射面的面积的80％～99％。

2.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，两两邻近的反射导接面的最小间距介于75微米～250微米之间。

3.根据权利要求2所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述反射导接面由金属材质所构成。

4.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述基板表面形成有一绝缘层，而所述反射导接面设置于所述绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述绝缘层由一具高反射的材质所构成。

6.根据权利要求5所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为硅化合物或环氧化合物其中之一。

7.根据权利要求4所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述基板为铝基板或铜基板其中之一。

8.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管的电路结构，其特征在于，所述基板由一陶瓷材料所构成。