[实用新型]覆晶式发光二极管的电路结构

说明书

技术领域

本实用新型有关于一种覆晶式发光二极管的电路结构，尤其是指一种增加基板上的反射导接面面积的发光二极管电路布局，主要通过增加覆晶式发光二极管的基板上的反射导接面的面积比例，有效达到覆晶式发光二极管元件的发光效率的提升。

背景技术

按，发光二极管(light emitting diode，LED)与传统白炽光源比较，具有省电、体积小、低电压驱动、不含汞、无热辐射、操作反应速度快，以及寿命长等优点，发光二极管是次世代节能照明的最佳光源，已经广泛应用在家庭用品指示灯、液晶显示器的背光源、图文显示幕或汽车第三煞车灯等照明领域，而发光二极管的发光原理则是在二极管上施加一电压，驱使二极管里的电子与电洞结合，此结合产生的能量以光的形式释放出来，以完成发光二极管的发光效能。

覆晶式发光二极管是一种为了解决传统使用银胶黏合发光二极管芯片基板与封装基材而产生过高的热传导阻抗与不易散热等严重缺点，因此，覆晶式发光二极管通过将芯片的电极直接键结在封装基材上，能有效降低热传导阻抗，并增进其发光效率；然而，即便式改良后的覆晶式发光二极管，依然会因为封装基材不佳的光反射特性，而存在有发光效率不彰等缺点；在中国台湾以往专利中，例如公告号第I404189号即揭示一种“复晶式发光二极管元件及其制造方法”，该复晶式发光二极管元件，包含一导线架，其中该导线架具有一承载部；复数的芯片配置于该承载部，该等芯片至少包含一第一芯片及一第二芯片；一第一散射层共形地覆盖该第一芯片，仅露出该第一芯片的电极，其中该第一散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料；以及一第二散射层共形地覆盖该第二芯片，仅露出该第二芯片的电极，其中该第二散射层仅由一散射物质所构成，不包含高分子材料；虽然此实用新型案利用相同或不同的散射物质及散射层厚度来分别控制各芯片的发光角度，且该散射层不含除了散射物质以为的其他成份，因此可提升角度准确性，有效各别掌控不同芯片封装后的发光角度，并增加其稳定度；然而，在此发光二极管元件中除了发光二极管芯片发出亮光使得附近区域明亮以外，其余区域皆为绝缘体而反射光线的效果较差，因此，整体的发光二极管元件的发光效率并无法有效提升。

实用新型内容

缘是，创作人有鉴于此，并通过其丰富的专业知识及多年的实务经验所辅佐，而加以改良创作一种覆晶式发光二极管的电路结构，其目的在于发展一种增加基板上的反射导接面面积的发光二极管电路布局，主要通过增加覆晶式发光二极管的基板上的反射导接面的面积比例，有效达到覆晶式发光二极管元件的发光效率的提升。

为了达到上述实施目的，本创作人提出一种覆晶式发光二极管的电路结构，用以供至少一覆晶式发光二极管组装，每一覆晶式发光二极管具有至少两电极，电路结构于一基板的表面定义出一光发射面(light emitting surface，LES)，且光发射面上具有复数个反射导接面，而反射导接面用以供前述覆晶式发光二极管的电极组接，使该等覆晶式发光二极管于光发射面上形成串联、并联或串并联，其中反射导接面的总面积占光发射面的面积的80％～99％。

于本实用新型的一个实施例中，其中两两邻近的反射导接面的最小间距介于75微米～250微米之间。

于本实用新型的一个实施例中，其中反射导接面由金属材质所构成。

于本实用新型的一个实施例中，其中基板表面形成有一绝缘层，而反射导接面设置于绝缘层上。

于本实用新型的一个实施例中，其中绝缘层由一具高反射的材质所构成。

于本实用新型的一个实施例中，其中绝缘层的材质为硅化合物或环氧化合物等其中的一种。

于本实用新型的一个实施例中，其中基板为铝基板、铜基板或其他适当的金属基板等其中的一种。

于本实用新型的一个实施例中，其中基板由一陶瓷材料所构成。

藉此，本实用新型的覆晶式发光二极管的电路结构通过将覆晶式发光二极管的电路板上的复数个反射导接面的面积比例提升至整体光发射面面积的80％～99％，使覆晶式发光二极管发射的光线可通过以金属材质构成的反射导接面进行反射，以使覆晶式发光二极管元件拥有较大的出光光量，有效达到覆晶式发光二极管元件的发光效率的提升。

附图说明

图1为本实用新型覆晶式发光二极管的电路结构其一较佳实施例的电路结构立体图；

图2为本实用新型覆晶式发光二极管的电路结构其一较佳实施例的电路结构俯视图；

图3为本实用新型覆晶式发光二极管的电路结构其一较佳实施例的元件剖面示意图；