[实用新型]基座及LPCVD炉管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，特别是涉及一种基座及LPCVD炉管。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanic System，简称MEMS)工艺时一个全新的技术领域和产业，MEMS是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统；MEMS具有体积小、重量轻、功耗低、耐用性好、价格低廉、性能稳定等优点，被广泛应用于诸多领域中。

在MEMS工艺中，多晶硅薄膜沉积是非常重要的工序之一，低压化学气相沉积(Low-pressure Chemical vapor deposition，简称CVD)是用于沉积多晶硅的最常用方法。在低压化学气相沉积工艺中，SiH₄是重要的反应气体之一。

现有技术中，低压化学气相沉积工艺中所使用的炉管(Furnace)如图1所示，所述炉管包括：基座10、固定底座11、内管12、外管13及晶舟14；所述基座10包括支撑板100、子基座101、磁性流体装置103及密封底座104；所述外管13套置于所述内管12，所述内管12与所述固定底座11构成容置空间，所述支撑板100、子基座101、磁性流体装置11及所述晶舟14置于所述容置空间内，且所述晶舟14置于所述基座10上。

图2为所示基座10的三维结构示意图。由图2可知，所述基座10还包括一盖板102，所述支撑板100上设有多个第一固定孔1001，所述盖板102上设有与所述第一固定孔1001相对应的第二固定孔1021，所述子基座101通过螺丝(未示出)穿过所述第一固定孔1001及所述第二固定孔1021固定在所述支撑板100上；所述子基座101上表面设有第三固定孔1011，又所述晶舟14的底部设有与所述第三固定孔1011固定的第四固定孔141，所述晶舟14可以藉由螺丝(未示出)穿过所述第三固定孔1011及所述第四固定孔141固定在所述子基座101上。

然而，由于在MEMS工艺中，低压化学气相沉积的多晶硅薄膜的厚度相较于普通的Logic工艺要厚很多，在沉积的过程中，常会出现peeling defect(薄膜剥落状缺陷)，通过颗粒源(particle source)寻找发现在支撑板、盖板及石英挡板上会有很多peeling defect。现有的去除所述颗粒源的方法为定期清理所述支撑板及所述盖板，但清理所述支撑板及所述盖板时机台必定导致机台长时间的停止运转，这必定不利于生产成本的控制，导致生产成本的增加。

因此，提供一种改进型的基座及LPCVD炉管非常必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种基座及LPCVD炉管，用于解决现有技术中由于在MEMS工艺中沉积的多晶硅薄膜厚度比较厚而导致的出现peeling defect的问题，以及为了避免出现peeling defect而定期对颗粒源清洗所造成的生产成本增加的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种基座，所述基座至少包括：支撑板，所述支撑板上开设有进液口及出液口，所述支撑板内设有与所述进液口及出液口相连通的适于冷却液循环流动的空腔结构；设置于所述支撑板上的隔冷子基座；设置于所述隔冷子基座上的保温子基座。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述支撑板为金属支撑板。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述隔冷子基座包括石英隔冷子基座和套置于所述石英隔冷子基座外围的碳化硅隔冷子基座。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述保温子基座为碳化硅保温子基座。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述保温子基座为内部填充有保温材料的碳化硅保温子基座。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述保温子基座为内部填充有石棉的碳化硅保温子基座。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述基座还包括一磁性流体装置，所述磁性流体装置位于所述支撑板的下方，且与所述支撑板形成为一体。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述进液口及所述出液口均位于所述支撑板的底部；所述磁性流体装置内设有与所述进液口及所述出液口相对应的上下贯通的第一通孔。

作为本实用新型的基座的一种优选方案，所述基座还包括一密封底座，所述密封底座的上表面与所述磁性流体装置的下表面相连接；所述密封底座内设有与所述第一通孔相对应的上下贯通的第二通孔。