[实用新型]基座及LPCVD炉管有效
| 申请号: | 201420774773.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN204342875U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
| 发明(设计)人: | 程庆峰;沈建飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/24;C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基座 lpcvd 炉管 | ||
1.一种基座,其特征在于,所述基座包括:
支撑板,所述支撑板上开设有进液口及出液口,所述支撑板内设有与所述进液口及出液口相连通的适于冷却液循环流动的空腔结构;
设置于所述支撑板上的隔冷子基座;
设置于所述隔冷子基座上的保温子基座。
2.根据权利要求1所述的基座,其特征在于:所述支撑板为金属支撑板。
3.根据权利要求1所述的基座,其特征在于:所述隔冷子基座包括石英隔冷子基座和套置于所述石英隔冷子基座外围的碳化硅隔冷子基座。
4.根据权利要求1所述的基座,其特征在于:所述保温子基座为碳化硅保温子基座。
5.根据权利要求4所述的基座,其特征在于:所述保温子基座为内部填充有保温材料的碳化硅保温子基座。
6.根据权利要求5所述的基座,其特征在于:所述保温子基座为内部填充有石棉的碳化硅保温子基座。
7.根据权利要求1所述的基座,其特征在于:所述基座还包括一磁性流体装置,所述磁性流体装置位于所述支撑板的下方,且与所述支撑板形成为一体。
8.根据权利要求7所述的基座,其特征在于:所述进液口及所述出液口均位于所述支撑板的底部;所述磁性流体装置内设有与所述进液口及所述出液口相对应的上下贯通的第一通孔。
9.根据权利要求8所述的基座,其特征在于:所述基座还包括一密封底座,所述密封底座的上表面与所述磁性流体装置的下表面相连接;所述密封底座内设有与所述第一通孔相对应的上下贯通的第二通孔。
10.一种LPCVD炉管,其特征在于:所述LPCVD炉管包括:固定底座、内管、外管、晶舟及如权利要求1至9中任一项所述的基座;其中,所述外管套置于所述内管外围,所 述内管与所述固定底座构成容置空间,所述支撑板、隔冷子基座、保温子基座、磁性流体装置及所述晶舟置于所述容置空间内,且所述晶舟置于所述基座上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





