[实用新型]一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，要求半导体器件的尺寸越来越小，功率越来越高，但是尺寸小、功率高引起的高电流、高热阻是困扰半导体器件的主要问题。为了解决这一问题，封装时采用双引线框架成为了越来越多的选择。现有技术中，用双引线框架封装半导体器件时会采用较多的导线进行连接，较多的导线会产生额外的热量，增加半导体器件的负担，且导线的电流承载能力有限，造成半导体器件的电流承载能力有限。

实用新型内容

本实用新型是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本实用新型的目的在于提出一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，该结构能够解决现有技术中封装时采用较多导线产生额外的热量，且造成半导体器件电流承载能力有限的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，包括：

第一引线框架和第二引线框架，

所述第一引线框架包括：

第一芯片座，用于倒装第一芯片，封装时，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接；

至少一个第一芯片栅极管脚，用于连接所述第一芯片的栅极；

第二芯片座，用于正装第二芯片，封装时，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接；

至少一个第二芯片漏极管脚，所述第二芯片漏极管脚与所述第二芯片座连接；

至少一个第二芯片栅极管脚，用于连接所述第二芯片的栅极；

第一引线框架外框，所述第一芯片座和所述第二芯片座分别通过至少一个连杆与所述第一引线框架外框连接，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚和所述第二芯片栅极管脚分别与所述第一引线框架外框连接，

所述第二引线框架包括：

铜桥，封装时，所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架上，且所述铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

至少一个第二引线框架管脚，所述第二引线框架管脚与所述铜桥连接；

第二引线框架外框，所述第二引线框架管脚与所述第二引线框架外框连接。

进一步地，所述铜桥边缘设置有至少一个测量观测孔。

进一步地，所述测量观测孔内侧的铜桥上设置有至少一个溢流孔。

进一步地，所述第一芯片座上开设有一切口，所述第一芯片栅极管脚延伸至所述切口处。

进一步地，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、第一芯片座和第二芯片座的下表面均在同一平面上。

进一步地，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、第一芯片座和第二芯片座的上表面均在同一平面上。

进一步地，所述第二引线框架管脚靠近所述铜桥的部分向内弯曲，使得当所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架上时，所述第二引线框架管脚的下表面与所述第一芯片栅极管脚的下表面在同一平面上。

本实用新型所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构在封装时利用第二引线框架上的铜桥直接将第一芯片的漏极和第二芯片的源极连接起来，用铜桥代替了导线，提高了半导体器件的电流承载能力，且铜桥能够吸收芯片瞬时产生的热量。

附图说明

为了更加清楚地说明本实用新型示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本实用新型所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本实用新型实施例一提供的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构的整体结构图。

图2是本实用新型实施例一提供的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构的第一引线框架的结构图。

图3是本实用新型实施例一提供的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构的第二引线框架的结构图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本实用新型实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本实用新型的技术方案。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本实用新型的保护范围之内。

实施例一：